碳化硅表面亚微米减反射结构及其制作工艺

创新性地提出一种经济高效的碳化硅表面亚微米减反射结构制作工艺,即＂黑碳化硅技术＂。该方法无需光刻,采用非完全后烘的光刻胶微掩膜反应离子刻蚀（RIE）工艺,克服了碳化硅材料由于高硬度和高化学稳定性而无法采用传统硅材料湿法工艺的困难。利用该技术,已在4英寸（1英寸=2.54 cm）4H-SiC单晶片表面成功制作出网格状亚微米阵列结构,其深度为200-300 nm。测试结果表明,该结构可以在390-800 nm的波长范围内使SiC表面平均反射率至少降低20%。可以应用于SiC材料制作的中间带太阳电池及紫外探测器件,提升器件的量子效率;或作为高功率GaN LED的生长衬底,增强LED的光出射效率。