期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
氧化钽阻变存储器的初始化电压调制
1
作者
官郭沁
邹荣
+6 位作者
左青云
田盼
吕杭炳
田志
王奇伟
曾敏
杨志
《现代电子技术》
2021年第6期1-5,共5页
采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚...
采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚度可有效降低初始化电压。基于40 nm互补金属氧化物半导体量产工艺平台,成功地在40 nm晶体管后段集成了阻变单元,制备了氧化钽阻变存储器,其初始化电压为3.3 V,置位/复位电压在1.8 V以内。
展开更多
关键词
氧化钽
阻变存储器
电压
调制
初始化
电压
阻变单元
置位/复位电压
下载PDF
职称材料
题名
氧化钽阻变存储器的初始化电压调制
1
作者
官郭沁
邹荣
左青云
田盼
吕杭炳
田志
王奇伟
曾敏
杨志
机构
上海交通大学
上海华力微电子有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
中国科学院微电子研究所
出处
《现代电子技术》
2021年第6期1-5,共5页
基金
国家重点研发计划(2018YFB0407500)。
文摘
采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚度可有效降低初始化电压。基于40 nm互补金属氧化物半导体量产工艺平台,成功地在40 nm晶体管后段集成了阻变单元,制备了氧化钽阻变存储器,其初始化电压为3.3 V,置位/复位电压在1.8 V以内。
关键词
氧化钽
阻变存储器
电压
调制
初始化
电压
阻变单元
置位/复位电压
Keywords
tantalum oxide
resistive random access memory
voltage modulation
initialization voltage
resistive cell
setting/resetting voltage
分类号
TN389-34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化钽阻变存储器的初始化电压调制
官郭沁
邹荣
左青云
田盼
吕杭炳
田志
王奇伟
曾敏
杨志
《现代电子技术》
2021
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部