美国半导体制造能力现状与政府角色

从20世纪40年代起,美国政府就在半导体产业的建立和发展中扮演了核心角色。随着亚洲半导体企业的崛起和美国半导体企业境外投资的快速增加,美国近年先进制造能力的建设速度已明显落后,全球占比从1980年的42%已滑落到1990年的30%、2007年的16%,及现在的13%。面对美国半导体制造能力的减少、可信制造依赖外国等变化,国防部正考虑新的对策。

再探SEMATECH:政府与企业合作促进产业技术发展的成功因素及启示

美国半导体制造技术联盟(SEMATECH)是国际上政府与企业合作促进产业技发展的著名成功案例,在企业的创新型合作组织、政府对产业技术的支持以及联合攻克产业关键技术等方面,都有很多经验值得研究和借鉴。基于美国学术界和政策界对SEMATECH的系统研究成果,从SEMATECH建立的动力、政府与产业界的关系、组织与活动及成就和贡献等4个方面对SEMATECH进行深入探讨,提出可供中国借鉴的经验和启示。

美国军民协作探寻半导体产业技术发展新路线

目前,引领全球半导体产业五十多年发展的"摩尔定律"已难以为继,在新器件、新集成和新计算范式等新技术日新月异的大量涌现,亟需构建出新技术产业发展指导路线。2017年上半年,美国半导体学术界和产业界共同发布了半导体产业发展指南,美国国防部也分别联合学术界和产业界计划在2018年启动两个宏大的研发计划,励志以此开启半导体产业发展新纪元,其中美国以军民协作共推下一代半导体技术发展的思路和做法值得我国关注和研究。

修订版SEMI标准扩大了埃施朗技术在半导体设备制造市场的作用

美国加州圣何塞2005年07月12日报道：美国埃施朗（Echelon）公司（纳斯达克：ELON）——是LonWorks＆reg；设备联网平台的创立者，该平台把日常设备互联并连接到因特网上——今天宣布：国际半导体设备和材料（SEMI＆reg；）机构已扩大了控制联网通信协议的作用，该协议最初是由埃施朗在国际传感器——执行器网络（SAN）标准、SEMI.

美国国家半导体公司推出VIP50工艺技术及6款产品

近日美国国家半导体公司(National SemiconductorCorporation)推出崭新的VIP50工艺技术及基于此技术制造的6款高精度及低电压放大器.VIP50工艺技术是采用绝缘硅(SOI)的全新BiCMOS工艺技术,其在很多方面都比传统的双极或CMOS工艺优胜.

美国国家半导体VIP50工艺技术提高放大器精度及电源效率

美国国家半导体日前推出全新绝缘硅（SOI）BiCMOS工艺技术——VIP50工艺。VIP50工艺技术（VIP是垂直综合PNP工艺技术的简称）为供电电压介于0．9V至12V之间的运算放大器而开发。据介绍，利用VIP50工艺制造的六款产品无论在电源使用效率、噪音水平及准确度都比美国国家半导体的旧型号集成电路及其他公司的竞争产品优胜。

美国半导体芯片工业近况

在日本半导体芯片工业咄咄逼人的态势面前,传统上较缺乏合作精神的美国工业界也不得不认真考虑通过合作来迎接挑战之途径。工业公司间相互合作是一方面,例如。

《半导体国际》第三届成品率提升技术研讨会圆满闭幕

半导体制造业如何降低成本、缩短交期，提升成品率。都成为面对全球竞争的关键。由于成品率的损失造成成本的提升．因此各半导体厂莫不急于藉由各种分析手法，针对生产过程进行严格监控．以达到成品率提升的最终目的。2007年5月24日．《半导体国际》第三届成品率提升研讨会延续了其系列研讨会一贯的技术风格和高品质．在上海龙东商务酒店成功举办。

CGTech被美国国防制造中心选为策略联盟伙伴

美国电脑数控仿真技术公司CGTech宣布，该公司刚被美国国家国防制造与加工中心选为战略防御计划的策略联盟伙伴。

美国国家半导体推出业界高度集成的100V半桥式PWM控制器

2006年3月21日，全球电源管理技术的领导者美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）（美国纽约证券交易所上市代号：NSM）推出一款高度集成的100V半桥式脉冲宽度调制（PWM）控制器。厂商只要采角这款控制器，便可将半桥式直流／直流转换器的体积缩至最小。

智能制造联盟项目赢得美国能源部清洁能源制造大单

智能制造领袖联盟（SMLC）近日宣布其赢得2013年美国清洁能源制造大单，着手开发美国首个开放的智能制造技术平台，协作推进信息化在工业领域的应用。

美国国家半导体公司2004年专利创纪录

美国国家半导体公司宣布2004财政年度内该公司在美国取得221项产品发明及制造工艺创新技术的专利，这是该公司自1959年创办以来的历年最高纪录。美国国家半导体公司的专利中约有三分之一与模拟技术有关，这使该公司成为拥有最多注册专利模拟技术的半导体制造商。美国国家半导体公司拥有的专利技术包括制造工艺、芯片设计、封装、结构及其他重要的集成电路技术。

《半导体国际》第三届光刻技术研讨会

光刻作为推动半导体制造技术的关键工艺一直以来备受业界的关注。近年来，随着器件尺寸的不断缩小，作为现有光学光刻技术的延伸，浸没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高的分辨率为业界所追捧，然而在以0.15微米以上技术为主流的中国半导体制造业，在引进海外技术先进技术的同时，我们更加关注如何推动国内光刻技术水平的发展，如何加快国产光刻设备业的研发创新，促进中国半导体制造业的持续快速发展。

迎接挑战的先进光刻技术——《半导体国际》第二届“光刻技术研讨会”

光刻是半导体制造工艺中最为重要的步骤之一，决定了整个IC工艺的技术水平。随着半导体技术沿着ITRS继续向前发展，新的先进光刻技术也逐渐从理论走向实践，与之相应的新材料的研发和应用也从未间断。光刻技术正变得更加复杂．特征尺寸的减小对于光刻是机遇也是挑战。浸没式光刻在近几年内得到了迅猛的发展，已经从实验室向大批量生产迈进．前景怎样？193纳米光刻还能走多远？先进光刻技术如何应对更小节点尺寸。

《半导体国际》光刻技术专家委员会成立啦!

10月24日．《半导体国际》光刻技术研讨会在沪顺利举办．与会者与演讲嘉宾积极互动；借此机会．《半导体国际》邀请到来自晶圆厂和设备材料供应商的光刻技术方面权威的专家．成立“光刻技术专家委员会”，以此更好地服务于中国的半导体制造产业．并不断提升《半导体国际》一年一度的光刻技术研讨会的含金量。期望在未来能够借助专家的支持和《半导体国际》这一平台，与业内的工程师和制造商共同分享半导体行业最权威的知识和最迅捷的先进技术！

热点：《半导体国际》第四届晶圆清洗技术研讨会——经典重温

2000年中芯国际落户上海浦东，中国的集成电路制造业拉开了新的篇章。而今，晶圆面积也由200mm扩大到了300mm，器件尺寸由最初的0．35微米以上到了现如今的65纳米，中国的半导体制造业正慢慢进入成熟阶段。随着新结构，新材料的引入，晶圆清洗也出现了一些新的技术，如：超声波清洗技术，激光震动清洗技术、低温气雾清洗技术、超临界清洗技术等等．

《半导体国际》第四届晶圆清洗技术研讨会圆满闭幕

由《半导体国际》主办的“第四届晶圆清洗研讨会”8月9日在上海圆满闭幕。会议吸引了200多名国内知名晶圆厂经理人和工程师，另外，TFTLCD制造厂的工程师也积极参与了本次研讨会。针对制造工艺中的清洗案例和解决方案，晶圆厂和设备材料供应商的专家及经理人就单晶圆清洗、兆声波清洗、喷淋法、浸泡法等各种清洗技术的应用等话题，与听众进行了热烈的互动。