期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
高层间距的羟基硅铝交联蒙托土的合成与表征 被引量:6
1
作者 赵东源 王国甲 +1 位作者 杨亚书 郭燮贤 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期295-299,共5页
采用溶胶分散法合成了一系列高层间距(2.6nm)的羟基硅铝交联蒙托土(SiAl-CLM),并用^(27)Al NMR、XRD、DTA、XPS、吡啶吸附-IR、正丁胺吸附-TPD等技术进行了表征,用脉冲反应技术考察了其催化活性。结果表明:SiAl-CLM层间存在氧化硅胶团... 采用溶胶分散法合成了一系列高层间距(2.6nm)的羟基硅铝交联蒙托土(SiAl-CLM),并用^(27)Al NMR、XRD、DTA、XPS、吡啶吸附-IR、正丁胺吸附-TPD等技术进行了表征,用脉冲反应技术考察了其催化活性。结果表明:SiAl-CLM层间存在氧化硅胶团与羟基铝聚体形成的复合Si-Al柱.SiAl-CLM的热稳定性较好,对异丙苯的裂解活性(76.8%)较高。Si的引入增加了交联蒙托土的表面酸性,尤其增加了Bronsted酸性。 展开更多
关键词 蒙托土 羟基硅铝交联 合成 表征
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部