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基于Bo-BiLSTM网络的IGBT老化失效预测方法
1
作者
万庆祝
于佳松
+1 位作者
佟庆彬
闵现娟
《电气技术》
2024年第3期1-10,共10页
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)受热应力冲击后对其进行老化失效预测精度不高的情况,提出一种基于贝叶斯优化(Bo)-双向长短期记忆(BiLSTM)网络的IGBT老化失效预测方法。首先分析IGBT模块老化失效原理,然后基于NASA老化实验数据集建立失...
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)受热应力冲击后对其进行老化失效预测精度不高的情况,提出一种基于贝叶斯优化(Bo)-双向长短期记忆(BiLSTM)网络的IGBT老化失效预测方法。首先分析IGBT模块老化失效原理,然后基于NASA老化实验数据集建立失效特征数据库,最后利用Matlab软件构造Bo-BiLSTM网络预测失效特征参数数据。选取常用回归预测性能评估指标将长短期记忆(LSTM)网络模型、BiLSTM网络模型与Bo-BiLSTM网络模型的预测结果进行对比分析。结果表明,Bo-BiLSTM网络的模型拟合精度更高,基于Bo-BiLSTM网络的IGBT老化失效预测方法具有较好的预测效果,能够应用于IGBT的失效预测。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
贝叶斯优化
双向长短期记忆(BiLSTM)网络
老化失效预测
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职称材料
题名
基于Bo-BiLSTM网络的IGBT老化失效预测方法
1
作者
万庆祝
于佳松
佟庆彬
闵现娟
机构
北方工业大学电气与控制工程学院
北京交通大学电气工程学院
出处
《电气技术》
2024年第3期1-10,共10页
基金
北京市教育委员会基金项目(110052972027/067)
北京市自然科学基金项目(21C30037)。
文摘
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)受热应力冲击后对其进行老化失效预测精度不高的情况,提出一种基于贝叶斯优化(Bo)-双向长短期记忆(BiLSTM)网络的IGBT老化失效预测方法。首先分析IGBT模块老化失效原理,然后基于NASA老化实验数据集建立失效特征数据库,最后利用Matlab软件构造Bo-BiLSTM网络预测失效特征参数数据。选取常用回归预测性能评估指标将长短期记忆(LSTM)网络模型、BiLSTM网络模型与Bo-BiLSTM网络模型的预测结果进行对比分析。结果表明,Bo-BiLSTM网络的模型拟合精度更高,基于Bo-BiLSTM网络的IGBT老化失效预测方法具有较好的预测效果,能够应用于IGBT的失效预测。
关键词
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
贝叶斯优化
双向长短期记忆(BiLSTM)网络
老化失效预测
Keywords
insulated gate bipolar transistor(IGBT)
Bayesian optimization
bi-directional long short term memory(BiLSTM)network
aging failure prediction
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TP183 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于Bo-BiLSTM网络的IGBT老化失效预测方法
万庆祝
于佳松
佟庆彬
闵现娟
《电气技术》
2024
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