耐擦写能力测试评估中的样本数选取方法

介绍了非挥发性记忆体产品在进行耐擦写能力测试评估时如何合理地选取样本数的方法。在集成电路的可靠性测试中,样本数通常被理解为样品数,即芯片的颗数。对样本数进行了新的定义,将样本数定义为"芯片颗数×扇区数"。这种定义吻合产品可靠性测试对样本的基本定义,可以适用于所有的集成电路可靠性测试,尤其适用于非挥发性记忆体的耐擦写能力测试评估。为了保证相同的测试信心度,考虑到在耐擦写能力测试中周边电路对耐擦写能力测试结果的影响,依照对样本数新的定义,在进行样本数等值选取计算的时候,引入了一个全新的补偿因子f,并且给出了样本数等值计算的公式。实验结果表明,在引入补偿因子f后,样本数等值计算结果更加可靠。

硅纳米晶体浮栅存储器件特性研究

通过硅(Si+)离子注入使硅纳米晶体存在于SiO2层中充当离散浮栅,制造出纳米晶体浮栅存储器件,测试器件的阈值电压变化(△Vth)、耐擦写能力和数据保持能力,得到该纳米晶体浮栅存储器件的存储特性。测试结果表明,该纳米晶体浮栅存储器件具有大的△Vth和较快的写/擦速度、非常好的耐擦写能力和很好的数据保持能力,具有应用于航空航天设备中的潜力。