SnO_2-Sb_2O_3基压敏陶瓷致密化及脉冲电流耐受特性

实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响.研究结果表明,TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化,根据XRD图谱分析结果,Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相,TiO2则固溶于SnO2晶相;Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化;复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力.获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品,其压敏电压V1mA约为350V/mm,非线性系数α达到50,漏电流小于5μA,并且在8/20μs脉冲电流冲击试验中,φ14mm的样品能够经受2kA的脉冲峰值电流.

PTCR耐电流冲击自动测试仪

为满足 PTCR生产中耐电流冲击特性测试的要求 ,研制了多工位 PTCR耐电流冲击特性测试仪。采用计数器、通 /断定时器及以 TPIC6 B5 95集成芯片为核心的通断时序控制接口电路 ,实现各个工位的先通先断 ,从而保证各个工位通断时间满足测试要求 ,保证了 PTCR耐电流冲击性能的准确、高效测试 ;各通道具有独立的自动过电流保护电路 ,既保护了测试夹具 ,又使仪器本身的可靠性大大提高。