基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究

采用硅隔离SoI(SilicononInsulator)技术 ,应用高能氧离子的注入方法 ,在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅 ,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电流 .采用梁膜结合的压力传递机构 ,将被测压力与SoI敏感元件隔离开来 ,因此避免了被测压力的瞬时高温冲击 .给出了传感器的结构模型和实验数据 ,测试结果表明 ,这种新型结构的耐高压力传感器 ,具有较好的动静态特性 .

MEMS耐高温压力传感器封装工艺

MEMS耐高温压力传感器在封装结构上采用薄膜隔离式结构,在油腔与波纹片所形成的密闭容腔里面填充高温硅油。由于传感器的工作温度达250℃,硅油、壳体基座及波纹片将会产生不同程度的热膨胀,最终将给压阻力敏芯片形成一定附加压力,严重影响传感器的精度。文中主要就硅油、壳体基座及波纹片在250℃工作时由于不同的热膨胀系数而导致的膨胀不一致情况进行ANSYS仿真分析,研究了平膜膜片及波纹状膜片情况下的硅油热膨胀问题,最后相应地得到了硅油相对于壳体和波纹片的热膨胀率,同时分析得出了合理设计波纹片结构可以有效减小硅油热膨胀时所产生的附加压力,提高传感器的工作灵敏度与稳定性。

耐高温压力传感器的设计研究

借助弹性力学和板壳力学理论,建立了双岛型耐高温压力传感器应变膜的简化力学模型,得到近似应力分布的数学模型。利用有限元分析方法,借助ANSYS仿真软件,对应变膜进行一系列的计算机模拟,探讨了简化应力模型的合理性以及温度对应力差分布的影响,为力敏电阻在应变膜上的布置、研发新颖的高温压力传感器芯片提供有力的依据。

隔膜式耐高温压力传感器荣获国家专利

上海朝辉压力仪器有限公司自主研发生产的隔膜式耐高温压力传感器现已通过中华人民共和国国家知识产权局发明专利证书。

基于SOI的E型膜结构耐高温压力芯片的设计与制造

文中设计了一种基于SOI材料的E型膜结构无引线倒封装压力芯片。SOI材料的选用解决了高温环境下漏电流的问题,可以满足目前航空发动机对于高温使用环境的要求。E型膜结构与传统C型膜结构相比解决了灵敏度与线性度无法同时满足需求的难题。通过无引线倒封装工艺,实现了传感器小型化、轻量化的设计需求。设计的压力传感器量程为0~1.5 MPa,400℃输出灵敏度为80 mV/MPa,线性度0.17%FS,综合精度0.18%FS。传感器最大外廓尺寸为S10 mm×20 mm,传感器质量为15.5 g。

ZPM3910型中高温压力变送器

ZPM3910型中高温压力变送器选用耐高温压力传感器作为信号测量元件。电路选用耐高温元器件，经过严格的测试和老化筛选，性能稳定可靠。产品具有一体化结构，防护性能优越，优良的可靠性、小巧美观的外型、多种接口形式和电气连接，方便安装使用，可满足各种应用需求，

科技动态

国内规模最大的中空纤维膜产业化示范工程通过专家验收，中科院大连化物所膜电极三合一制造技术获突破，MES系统在安庆石化上线成功，天津大学石化中心开发成功双酚A新工艺，耐高温压力传感器研制成功，四川研制生态复合功能涂料，南京问世新型羟基膦羧酸水处理剂。