a-Si:H薄膜太阳电池最佳i层厚度的分析与计算

用自洽法计算了p i n型a-Si:H薄膜太阳电池中p i和i n两个分立势垒区中的电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)和耗尽层厚度XD.减少i层厚度使两个分立势垒区部分重叠,用电场叠加原理计算耗尽层中的电场分布,在此基础上,根据光生载流子的全收集条件Lpmin=μpτpεmin,计算出a-Si:H薄膜太阳电池的最佳i层厚度Xb.

亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型

本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关于未知量的线性代数方程组,求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式.该模型不需要适配参数,运算量小,避免了方程离散化,计算精度与数值解精度相同.文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果,计算值与二维数值模拟值高度吻合.