一种新型的PIP电容器的设想及其理论分析

提出了一种新型的电容器———ＰＩＰ电容器，它是一种压控电容器，通过控制外加电压（Ｖ）可以控制其电容（Ｃ）的值。电容在Ｖ＝０附近出现峰值Ｃｍａｘ，且随着｜Ｖ｜的增加Ｃ总是减少的，这是一种新型的电子器件。

考虑量子化效应的MOSFET栅电容减小模型

基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较.结果表明该模型是基于物理的解析模型,具有相当精度,便于电路模拟与设计.

MSOS电容器的研制及其C－V特性分析

在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物－半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，用Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通过控制外加电压Ｖ，可以改变其电容量Ｃ，且在Ｖ＝０值附近出现峰值Ｃｍａｘ．