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MSOS电容器的研制及其C－V特性分析
1
作者
龚道本
《中南民族学院学报（自然科学版）》
1996年第1期7-11,共5页
在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物－半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，用Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通...
在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物－半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，用Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通过控制外加电压Ｖ，可以改变其电容量Ｃ，且在Ｖ＝０值附近出现峰值Ｃｍａｘ．
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关键词
MSOS
电容
器
耗尽层电容c
c
-V特性
压控
电容
器
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职称材料
题名
MSOS电容器的研制及其C－V特性分析
1
作者
龚道本
机构
武汉中南民族学院物理系
出处
《中南民族学院学报（自然科学版）》
1996年第1期7-11,共5页
文摘
在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物－半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，用Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通过控制外加电压Ｖ，可以改变其电容量Ｃ，且在Ｖ＝０值附近出现峰值Ｃｍａｘ．
关键词
MSOS
电容
器
耗尽层电容c
c
-V特性
压控
电容
器
Keywords
MSOS
c
apa
c
itor
depletion layer
c
apa
c
itan
c
e
c
s
oxide layer
c
ap
c
a
c
itan
c
e
c
,
c
- V
c
hara
c
teristi
c
分类号
TM53 [电气工程—电器]
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作者
出处
发文年
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1
MSOS电容器的研制及其C－V特性分析
龚道本
《中南民族学院学报（自然科学版）》
1996
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