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题名自浸润式纳米压印耦合实现量子点发光二极管性能提升
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作者
梁龙
郑悦婷
林立华
胡海龙
李福山
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机构
福州大学物理与信息工程学院
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期613-620,共8页
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基金
国家自然科学基金(62075043)。
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文摘
胶体量子点材料因其优良的窄发射光谱、可调发射波长、高发光效率和优异的稳定性而被广泛研究,且同时具有溶液可加工性使得量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)具有广泛的适用性和应用。然而,器件自身存在的基底模式导致QLED器件大量光子被限制在内部无法利用。本文基于纳米压印工艺同时利用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)材料本身的表面结合能开发出溶剂自浸润式纳米压印工艺,对压力依赖度低的同时简化了工艺流程,制备出高质量周期性的1.3,1,0.5μm三种尺寸的微纳结构图案层,对红、绿、蓝三色QLED器件进行耦合实现光提取。在这种情况下,1.3μm微纳结构耦合绿光QLED器件亮度达到715069 cd·m^(-2),最大外量子效率(External quantum efficiency,EQE)和电流效率分别提升至12.5%和57.3 cd·A^(-1);1μm尺寸耦合的蓝光QLED器件各电学性能提升接近200%;0.5μm尺寸耦合红光QLED器件EQE也从17.3%提升至20.5%。并通过角分布测试,证明微纳结构不会对QLED器件发光强度造成影响,仍然接近朗伯体发射。本工作提出的溶剂自浸润式纳米压印工艺及QLED光提取方法,为QLED的性能提升提供了一条简单有效的途径。
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关键词
量子点发光二极管
纳米压印
耦合光学性能
光学仿真
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Keywords
quantum dot light-emitting diode
nanoimprint
coupled optical properties
optical simulation
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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