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四类畴压电压磁超晶格的电磁波单方向透射
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作者 唐政华 雷大军 +4 位作者 黄健全 邱枫 蒋纯志 姚敏 杨丽萍 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第4期26-30,共5页
压电压磁超晶格中畴排列方式的不同导致其性质发生改变.文中基于四类畴压电压磁超晶格结构,将1个周期内畴的排布方式分为(+P,-P,+M,-M)、(+P,-P,+P,+M)和(+P,+M,-M,+M)3种.对于(+P,-P,+P,-M)结构,珚ω=2.719附近存在1个单方向频率通道,... 压电压磁超晶格中畴排列方式的不同导致其性质发生改变.文中基于四类畴压电压磁超晶格结构,将1个周期内畴的排布方式分为(+P,-P,+M,-M)、(+P,-P,+P,+M)和(+P,+M,-M,+M)3种.对于(+P,-P,+P,-M)结构,珚ω=2.719附近存在1个单方向频率通道,相对带宽约为3.26%.对于(+P,-P,+P,+M)结构,珚ω=2.374附近通道2的最大群速度指数可达ng=69 695.1.电磁波通过长为1 cm的超晶格的延迟时间约为2.32μs.对于(+P,+M,-M,+M)结构,通过外加电场反转极化可实现快波和慢波的切换,群速度指数的改变量可达52.5,可用于构造单方向电磁波导和群速度延迟器件. 展开更多
关键词 四类畴压电压磁超晶格 耦合极化激元带结构 单方向频率通道 群速度指数
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