正庚烷与甲基环己烷的相互作用及其对耦合裂解过程的影响

采用微型固定床反应器和在线气相色谱,分析了正庚烷和甲基环己烷在温度650~800℃时的耦合热裂解行为。结果表明:甲基环己烷抑制了正庚烷的裂解,而正庚烷促进了甲基环己烷的裂解;随着混合体系中甲基环己烷含量的增加,其对正庚烷裂解的抑制作用增强,正庚烷对甲基环己烷裂解的促进作用减弱。此外,混合体系中甲基环己烷含量的增加,降低了烷烃和烯烃产物的选择性,提高了二烯烃、环烯烃和芳烃产物的选择性。基于自由基机理和产物分布,讨论了正庚烷和甲基环己烷耦合热裂解的反应路径,发现正庚烷和甲基环己烷的相互作用主要依赖于其独特的链状、环状结构和夺氢反应。

甲醇重烯烃耦合裂解制烯烃技术开发

甲醇重烯烃耦合裂解制烯烃工艺(COCR)是以甲醇、重烯烃为原料,应用流态化技术,反应温度约570 ℃,再生温度约675 ℃,乙烯与丙烯收率(质量分数)在35 %以上的新工艺。以成熟的流态化工艺平台为依托,保证了COCR技术的可靠性。该技术实现了甲醇和重烯烃裂解的放热和吸热反应的耦合,综合利用重烯烃资源,具有广泛的应用前景。

甲醇制烯烃中C4+裂解工艺的探索性改进

在DMTO-Ⅱ装置上,C4+催化裂解工艺实现了与甲醇制烯烃工艺的耦合,实现了一种催化剂同时催化2个性质截然不同的反应。通过对C4+裂解技术的生产实践,摸索总结了相关工艺控制参数和技改技措经验,并经过设备和工艺的不断改进,成功实现了C4+裂解技术在甲醇制烯烃工艺中的应用。

Cu/Zn、Cu/Zn/Ni催化剂甲醇部分氧化制氢

研究了甲醇在Cu/Zn及Cu/Zn/Ni催化剂上部分氧化热耦合裂解制氢的反应，系统地考察了不同O_2/CH_3OH比及反应温度下催化剂性能.当O_2/CH_3OH=0.2时，催化剂的性能最佳.在同样条件下，Cu/Zn催化剂对CO的选择性较Cu/Zn/Ni催化剂低，更具优势. Cu/Zn催化剂用于甲醇部分氧化反应时，甲醇转化率在150 h寿命实验中基本保持在90％左右. XRD谱图表明Cu/Zn合金的生成是导致Cu/Zn系催化剂在甲醇裂解反应中快速失活的主要原因，而在部分氧化反应中，O_2的存在可抑制Cu/Zn合金的生成，使Cu/Zn催化剂表现出高度的稳定性.

GaN基材料的低温外延技术

GaN基半导体材料的禁带宽度覆盖了整个可见光波段,且其具有优良的物理化学特性,因而被广泛应用于光电子器件、电力电子器件及射频微波器件的制备.传统的GaN基材料通常是利用金属有机物化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延等在蓝宝石、硅或碳化硅等耐高温的单晶衬底上外延生长得到.这些外延生长技术通常采用高温来裂解参与反应的前驱体.随着信息化和智能化的变革不断深入,催生出了对核心光(电)子器件的低成本和柔性化等共性需求.廉价且易于大面积制备的非晶衬底(玻璃、塑料、金属、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)等)是较为理想的选择,但非晶衬底的一个显著缺点是不能耐受较高的生长温度.由此催生出了GaN基材料低温外延的需求,即需要一类在低温下可以利用外电场能量裂解反应前驱体的外延设备.到目前为止,人们基于物理气相沉积和化学气相沉积的基本原理已经开发出了多种低温外延技术,取得了初步的研究结果.本文分别对这两类低温外延技术进行详细介绍,包括设备结构、工作条件和相关的外延生长结果,总结各类技术的特点.最后,对低温外延技术的发展前景作了展望,指出未来研究需要关注的重点.