大规模集成电路封装用联苯型环氧树脂的制备及其结构与性能

采用3,3′,5,5′-四甲基-4,4′-联苯二酚与环氧氯丙烷在18-冠-6-醚(CE18)为相转移催化剂作用下,利用两步加碱法合成了联苯型环氧树脂(TMBP),在反应温度为80℃、反应时间为8 h、NaOH用量为0.2 mol时,产率达83%。用核磁共振、红外光谱、X射线衍射、热台偏光显微镜和DSC对所制备的产物进行了结构表征。结果表明,合成的产物为TMBP,具有良好的结晶性,熔点为107.8℃,在冷却过程中出现液晶态。TMBP熔融黏度极低(0.02 Pa.s,150℃),用TMBP与酚醛环氧树脂(ECN)共混,可降低体系的黏度,从而提高硅微粉的填充量和大规模集成电路封装材料的流动性。

大规模集成电路封装用联苯型环氧树脂合成工艺优化及结构表征

研究了联苯型环氧树脂(TMBP)的合成方法,通过正交实验法得到了联苯型环氧树脂合成的最佳工艺条件,即:相转移催化剂为18-冠-6-醚、反应温度为80℃、反应时间为8h、NaOH的用量为0.2mol,在此工艺条件下TMBP产率在83%左右。用1H NMR、FTIR对所制备的产物进行了结构表征,结果表明,合成产物为含联苯结构的环氧树脂。

联苯型环氧树脂改性邻甲酚醛环氧树脂体系的固化反应动力学研究

联苯型二缩水甘油醚/邻甲酚醛环氧树脂按1∶4比例组成,体系用线性酚醛树脂为固化剂,咪唑为固化促进剂,通过差示扫描量热仪(DSC)研究了体系的非等温过程固化反应动力学,并用Kissinger和Ozawa方法分别求得体系固化反应的表观活化能△E为71.79和75.02k J/mol,根据Crane理论计算得到该体系的固化反应级数n=0.93,在不同升温速率下的频率因子的平均值A为6.73×106,从而推断出该体系动力学模型,为该体系作为集成电路封装材料的应用工艺提供了基础数据。

氰酸酯/联苯型环氧树脂共混体系的DSC研究

采用非等温差示扫描量热法对氰酸酯/联苯型环氧树脂共混体系的固化反应动力学、特征温度、转化率和玻璃化转变温度(Tg)进行了研究。共混体系的表观活化能随着联苯型环氧树脂量的增加而降低,质量比为80/20树脂体系的表观活化能为88.6k J·mol^(-1),高于80/20氰酸酯/双酚A型环氧树脂体系的表观活化能。当固化程度接近完全时,80/20共混体系的Tg为249.2℃,比80/20氰酸酯/双酚A型环氧树脂体系的Tg值高出24.3℃。催化剂的加入能使共混体系的表观活化能下降约20k J·mol^(-1),反应特征温度降低约100℃,同时对Tg影响较小。

新型环氧树脂发展及在高性能覆铜板开发中的应用(连载2)

本文对当前覆铜板需用的新型环氧树脂(包括萘型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双环戊二烯酚型环氧树脂等)的品种、性能、技术发展进行了阐述,并介绍了近年发表的日本相关专利所述的新型环氧树脂应用技术。

新型环氧树脂发展及在高性能覆铜板中的应用(连载1)

本文对当前覆铜板需用的新型环氧树脂的品种、性能、技术发展进行了阐述,并介绍了近年发表的日本覆铜板相关专利所述的新型环氧树脂应用技术。

高频高导热覆铜板设计及性能研究

以双环戊二烯酚型环氧树脂(DCPDEP)、双酚A型氰酸酯树脂(CE)、联苯型液晶环氧树脂为基体树脂,KH-560为偶联剂,马来酸酐化聚丁二烯(MLPB)为增韧剂,硅微粉和两种不同粒径的六方氮化硼为填料,制备了覆铜板,通过介电性能及导热性能测试研究了树脂含量及填料与树脂配比对体系性能的影响。结果表明:当树脂中DCPDEP质量分数为57%,CE质量分数为24%,液晶环氧树脂质量分数为19%,填料用量为树脂质量的1.4倍,其中硅微粉、1~2μm的六方氮化硼与3~5μm的六方氮化硼的质量比为3∶1∶2时,制得的覆铜板综合性能良好。1 GHz下的介电常数为3.335,介电损耗为0.007 4,导热系数为1.21 W/(m·K),剥离强度为0.6 N/mm,耐压强度大于2 kV,耐热测试无起泡分层现象。