HFETR ^6LiD转换器内聚变谱中子源强分析

建立了6Li D转换器中14Me V中子源强的计算模型,对转换器不带辐照样品和分别带2、3、4个辐照样品时的中子源强进行了计算,对转换器产生的中子和来自于堆芯的中子在样品内的能谱和中子注量率进行了计算。结果表明,辐照管内充水和氦气时,辐照样品内由转换器产生的能量大于13Me V的中子分别占能量在1Me V以上中子的25.7%、24.6%,辐照样品内由堆芯产生的能量大于13Me V的中子仅占能量在1Me V以上中子的10·5左右,样品内14Me V中子源强分别可达4.31×1013nT·s·1、3.34×1013 nT·s·1;中子注量率分别可达2.66×1010nT·cm·2·s·1、3.53×1010nT·cm·2·s·1。

利用蒙特卡罗方法计算^6LiD中子源的产额与能谱分布

利用6LiD中子源转换靶室将反应堆热中子转换成聚变谱中子 ,可用来进行聚变中子辐照环境下的材料性能研究。应用蒙特卡罗方法模拟聚变谱中子的产生过程 ,从理论上验证了这种中子源的可行性。初步计算表明 :1个热中子作用在6LiD源室外表面将在源室内腔中产生 0 .1314个快中子 ;所产生的快中子具有很好的聚变谱特点 ,能量集中在 13.5～ 15.5MeV之间。

聚变中子能谱测量系统脉冲中子灵敏度的实验研究

为多种复杂环境下的稳态和脉冲DT聚变中子能谱测量建立了一种灵敏度优化反冲质子磁谱仪.使用成像板和同位素α源测量了谱仪的反冲质子能量-位置投影关系.利用稳态加速器中子源平台、通过单粒子计数方法结合三维带电粒子输运程序模拟,研究了谱仪脉冲中子灵敏度能量响应.通过高探测效率参数设置使谱仪对DT中子的探测效率达到2×10 5cm2水平,从而在较弱中子源上获得了较高统计精度实验数据.程序模拟结果与谱仪α粒子刻度和DT中子标定实验结果取得了良好的一致性,可由此发展精细解谱技术,以提高脉冲中子能谱测量的灵敏度和能量分辨.