聚合物介质中盐离解行为的温度依赖性研究

近十年来尽管聚合物-盐复合物作为潜在的理想电解质材料已得到广泛研究,人们对于在象聚合物这样的高粘度介质中盐的离解行为仍缺乏了解。特别是关于盐离解度的温度依赖性,不同的作者对相似的体系曾得出截然相反的结论。最近,Angell和许康等相继通过不同研究途径证实了在上述介质中盐离解产生的自由离子数n随温度上升而下降,其趋势可由Arrhenius公式表示:

PM聚合物介质在42CrMo钢淬火中的应用

为解决石油设备空心管强韧性不足问题 ,通过改变传统冷却方法 ,对不同尺寸 42CrMo钢管在PM聚合物介质中进行了淬火试验 ,对其力学性能作了分析比较 ,获得

耐高温聚合物基储能电介质材料的研究进展

聚合物基电介质材料因其击穿强度高、加工性能优异和成本低廉等优点而被广泛应用于金属化薄膜电容器。目前使用最普遍的储能电介质材料为双向拉伸聚丙烯,但是其存在放电能量密度低、耐温性能差等缺陷,已经无法满足现代电力电子系统微型化和集成化的发展要求。因此提高聚合物基电介质材料的储能密度和耐高温性能是储能电介质材料领域的主要挑战。该文综述了近年来新型耐高温聚合物基电介质材料在介电储能领域中的应用进展。首先,介绍了电介质材料的充放电原理,以及决定电介质材料储能密度的关键物理参数;其次,从高玻璃化转变温度、交联作用、电荷陷阱引入及带隙调控3个方面分类介绍了聚合物基耐高温储能电介质的最新研究进展;最后,对耐高温聚合物基储能电介质的发展进行了总结与展望。

通过构建陷阱能级策略提高聚合物电介质储能性能研究进展

本文系统阐述了空间电荷形成机理及空间电荷效应,重点综述了填充无机纳米粒子、掺入小分子半导体和分子结构设计3种构建陷阱能级的方法,深入探讨了提高电介质材料储能性能的设计策略,并对高性能聚合物电介质材料的制备方法进行展望。

高储能密度聚合物基多层复合电介质的研究进展

薄膜电容器是现代电力装置与电子设备的核心电子元件,受限于薄膜介质材料的介电常数偏低,当前薄膜电容器难以获得高储能密度(指有效储能密度,即可释放电能密度),从而导致薄膜电容器体积偏大,应用成本过高。将具有高击穿场强的聚合物与高介电常数的纳米陶瓷颗粒复合,制备聚合物/陶瓷复合电介质,是实现薄膜电容器高储能密度的有效策略。对于单层结构的0-3型聚合物/陶瓷复合电介质,其介电常数与击穿场强难以同时获得有效提升,限制了储能密度的进一步提高。为了解决此矛盾,研究者们叠加组合高介电常数的复合膜与高击穿场强的复合膜,制备了2-2型多层复合电介质,能够协同调控极化强度与击穿场强来获取高储能密度。研究表明,调控多层复合电介质的介观结构与微观结构,可以实现优化电场分布、协同调控介电常数与击穿场强等目标。本文综述了近年来包括陶瓷/聚合物和全有机聚合物在内的多层聚合物基复合电介质的研究进展,重点阐述了多层结构调控策略对储能性能的提升作用,总结了聚合物基多层复合电介质的储能性能增强机制,并讨论了当前多层复合电介质面临的挑战和发展方向。

聚合物基电介质薄膜电容器研究进展

简述了聚合物基电介质薄膜电容器的研究现状,主要包括聚丙烯(PP)、聚酰亚胺(PI)以及聚偏二氟乙烯(PVDF)三大类。分析了PP,PI,PVDF三类电介质的介电及理化性质,比较了不同改性手段、加工方式、结构设计等对PP,PI,PVDF电介质电性能的提高程度。对聚合物基电介质薄膜电容器的进一步发展进行了展望。

高介电常数、低介电损耗聚合物复合电介质材料研究进展

高介电常数聚合物电介质材料作为当今信息功能材料的研究热点,具有实际的应用价值和前景。综述了聚合物基复合电介质材料的分类及优缺点,以及从材料微观结构设计和填料界面修饰出发(如三元杂化或设计核壳和三明治结构),来获得高介电常数、低介电损耗聚合物复合电介质材料的研究状况和应用前景,以期对高介电、低损耗聚合物基电介质材料有一个更直观全面的了解,进一步拓展该类材料在电气和生物工程领域的研究和应用。

耐高温聚合物电介质材料的研究与应用进展

耐高温聚合物电介质材料以其优良的耐高温稳定性、优异的介电性能以及良好的耐环境稳定性等在电工绝缘领域中具有广阔的应用前景。系统综述了国内外近年来在耐高温聚合物电介质材料基础与应用领域的最新研究进展。从耐高温聚合物电介质材料的发展历史、结构特性以及应用研究等方面进行了综述。重点介绍了耐高温聚合物电介质材料在轨道交通牵引电机、新能源电力设备以及航空航天电气设备等电工绝缘领域中的应用状况。最后对耐高温聚合物电介质材料的未来发展前景进行了展望。

新型聚合物冷却介质KHP-W冷却性能的研究

采用冷却介质性能检测仪对新型聚合物型冷却介质KHP-W的静态冷却性能进行了探究。实验结果表明,浓度和初始温度对KHP-W的冷却性能有着极大的影响,随着温度和浓度的升高,KHP-W聚合物的最大冷却速度(Vmax)、300℃时的冷却速度(V300)都呈现出降低的趋势,而最大冷却速度对应的温度(TVmax)则呈现出升高的趋势;当温度高于60℃时,由于逆溶现象的出现,KHP-W的冷却性能将发生显著的变化。

Ucon聚合物淬火介质的选用

介绍了Ucon聚合物淬火介质的种类、品牌及其主要特性、影响因素和选用方法,并列举了若干应用实例。

聚合物淬火介质SST_(301)对斜轧半钢磨球硬度及开裂性的影响

研究了斜轧半钢磨球在淬火介质SST301中淬火后的硬度,淬裂敏感性,结果表明:适合斜轧半钢磨球淬火介质SST301的浓度应在1.0％-1.5％之间,且温度低于40℃。

聚合物纳米复合电介质的击穿性能

聚合物纳米复合电介质作为第三代绝缘材料表现出优异的电气特性,其中击穿是纳米复合电介质的关键性能之一。很多研究表明纳米复合电介质的击穿性能明显优于纯聚合物和微米复合电介质材料。针对第一代纳米复合电介质的国内外研究现状,综述了其击穿性能(包括体击穿和沿面闪络特性),讨论了纳米复合电介质击穿特性改善的机理。基于国内外研究现状和本课题组的研究积累,提出了自由体积对聚合物纳米复合电介质击穿的重要影响,指出了纳米粒子对聚合物基体自由体积参数的影响规律;研究了电荷输运微观过程对纳米复合电介质击穿的影响机制,阐述了陷阱参数与体击穿和沿面闪络性能的关系;总结了纳米改性与复合材料体和表面电荷输运参数调控的关联,指出了纳米掺杂同时改善聚合物介质体击穿和沿面闪络特性的机理。

聚合物纳米电介质材料研究进展及其在埋入式无源元件中的应用概述

聚合物纳米电介质材料由于其出色的机械加工特性、电可调制特性已成为当今高密度封装技术等诸多学科的前沿领域。通过在聚合基体中引入高介电陶瓷或纳米导电颗粒形成具有高介电常数的复合材料,并通过印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)制备工艺内置于PCB基板内部形成埋入式元件(电容、电感及其他无源元件),这已经在电子系统小型化方面显示出巨大的应用前景。文章综述了高介电纳米聚合物复合材料领域近年来的研究进展,探讨了聚合物纳米复合材料在埋入式电容器、电感器中的应用及埋入式无源滤波器的设计方法、制备工艺以及复合材料的电磁特性对埋入式元件电学性能的影响。

关于水溶性聚合物淬火介质推广应用的思考

针对目前水溶性聚合物淬火介质在生产应用中的现状,开发出有自主知识产权的“绿色环保产品”及相关的监控设备仪器。

聚合物淬火介质的应用

１概述聚合物淬火介质种类颇多，常见的有聚乙烯醇、聚丙烯酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧化烷撑（亦称ＰＡＧ）和聚乙基唑啉等。聚丙烯酸钠属离子型聚合物，作为淬火介质粘度高，气相阶段长，冷却曲线平直无明显的阶段性，对搅拌作用十分敏感。它与金属可生成络合物沉淀而脱...

PVDF基储能电介质的设计及性能调控相关进展

聚合物基介电电容器因具有击穿场强高、介电损耗低、自愈性好以及良好的可加工性等优势,成为了电子电力系统中重要的储能元器件。然而,聚合物的相对介电常数和放电能量密度较低,极大地限制了聚合物基固态电容器向小型化方向发展。因此,提高聚合物相对介电常数,研发高放电能量密度和高储能效率的聚合物基电容器成为了迫切需求。聚偏二氟乙烯(PVDF)以其良好的介电性能和较高的放电能量密度成为研究的热点。本文从电介质的储能原理出发,综述了近年来PVDF基纳米复合电介质材料的设计及其性能调控的主要方案:(1)聚合物+无机高介电纳米填料;(2)聚合物+无机低介电纳米填料;(3)聚合物+金属纳米粒子。本文为进一步提高聚合物基电介质的储能性能提供了重要参考。

水溶性聚合物淬火介质的推广与应用

以PAG为代表的水溶性聚合物淬火介质的应用，它以其固有的安全性、环保、节能等特点一直受到热处理界的高度关注，目前，紧固件行业选用的中碳结构钢量大，该钢的马氏体转变（Ms）点都在300℃附近，故采用水溶性聚合物淬火介质都能满足技术要求，使用量较多的淬火剂的品种有UCONA、UCONE、