原料配比对聚合物模板法制备SiC-Al_2O_3多孔陶瓷性能的影响

为制备出性能优异、价格合理的多孔陶瓷,以工业碳化硅粉和电熔白刚玉粉为主要原料,采用聚合物模板法在1 450℃烧结2 h制备了SiC-Al_2O_3多孔陶瓷,主要研究了碳化硅粉与电熔白刚玉粉的质量比(分别为1∶3、1∶1和3∶1)对多孔陶瓷的外观形貌、物相组成、烧结性能和抗热震性能的影响。结果表明:以工业碳化硅粉和电熔白刚玉粉为主要原料,采用聚合物模板法在1 450℃保温2 h可制备出孔分布较均匀,烧后线收缩率、显气孔率和体积密度分别为4.70%、67.17%和0.83 g·cm-3,抗热震循环次数达24次(空冷15次,水冷9次)的SiC-Al_2O_3多孔陶瓷;其主要物相为α-Al_2O_3和Al_6Si_2O_(13),还含有少量SiC相和游离SiO_2相。当m(碳化硅)∶m(白刚玉)=1∶1时,多孔陶瓷的综合性能较优。

聚合物模板法制备单分散多孔二氧化硅微球

聚合物模板法是实现无机材料高效制备的有效途径。本研究采用交联聚苯乙烯二乙烯基苯聚合物微球为模板,以有机硅源正硅酸四乙酯(TEOS)为前驱体,通过将硅溶胶沉积到多孔聚合物中形成聚合物和二氧化硅的混合物,再经过高温煅烧将聚合物模板去除的方法,可以方便地制备形貌可控的单分散多孔二氧化硅微球。利用扫描电子显微镜(SEM),傅里叶红外光谱仪(FTIR),热重分析仪(TGA),X射线衍射仪(XRD),比表面积孔径分布测定仪(BET)对聚合物模板以及制备的二氧化硅微球进行表征。另外,对单分散多孔二氧化硅微球形成机理进行探讨。

煅烧温度对聚合物模板法制备SiC-Al_2O_3多孔陶瓷性能的影响

为探究SiC-Al_2O_3多孔陶瓷的最佳煅烧温度,按配比(w):SiC粉66%,白刚玉粉22%,高岭土9.5%,V_2O_52%,羧甲基纤维素钠0.5%,外加磷酸三丁酯1%、聚丙烯酸钠1%和适量水制备了固相质量分数为60%的SiC-Al_2O_3料浆。采用聚合物模板法分别在1 250、1 350和1 450℃保温2 h制备了SiC-Al_2O_3多孔陶瓷,并研究了煅烧温度对陶瓷性能和物相组成的影响。结果表明:提高煅烧温度,可明显促进更多的SiC氧化生成SiO_2,进一步促进Al_6Si_2O_(13)陶瓷相的生成;同时有利于提高强度,但会降低其抗热震性。综合而言,1 350和1 450℃保温2 h制备的多孔陶瓷性能较优。

金属纳米线的制备方法

综述了金属纳米线近年来的研究现状,总结了多孔氧化铝模板法、聚合物膜模板法、软模板法和外场诱导法制备金属纳米线的研究成果,并提出了金属纳米线目前研究中存在的问题和潜在的发展方向。