烷基取代聚噻吩(pat)类高聚物在常温下和液氮中的电致发光特性

本文报导了聚噻吩的两种烷基取代高聚物 pat6和 pat12的光、电性能以及以这些高分子材料作发光层试制的发光二极管在常温下和液N2 (- 2 0 0℃ )中的电致发光特性。

烷基取代聚噻吩的化学合成与光电性能研究进展

概述了烷基取代聚噻吩的三种合成方法,即Fe(Ⅲ)催化剂合成法、Ni(0)催化剂合成法和Cu/PdCl2催化剂合成法。介绍了烷基取代聚噻吩稀溶液和薄膜的光吸收、光发射性能,薄膜的热致变色性能及以这些材料为发光活性物质制作的发光二极管的发光性能,展望了烷基取代聚噻吩衍生物的合成与应用前景。

烷基取代聚噻吩的非等温结晶动力学

根据ＤＳＣ测得的数值，采用Ｊｅｚｉｏｒｎｙ ，Вороховский和由作者实验室提出的一种新方法研究了十二烷基取代聚噻吩（Ｐ３ＤＤＴ） 和十八烷基取代聚噻吩（Ｐ３ＯＤＴ） 的非等温结晶过程，并应用Ｋｉｓｓｉｎｇｅｒ 法求取其结晶表观活化能ΔＥ，探讨了不同烷基取代基团对结晶过程的影响．Ｐ３ＤＤＴ 应用Ｊｅｚｉｏｒｎｙ 和Вороховский法描述时在结晶后期均发生偏离现象，而作者提出的新方法描述时则得到较好的线性关系．求得Ｐ３ＤＤＴ 的ΔＥ 为１８４－７９ｋＪ／ｍｏｌ，Ｐ３ＯＤＴ 的ΔＥ 为２４６－９３ｋＪ／ｍｏｌ，比较结晶表观活化能数值可知，Ｐ３ＤＤＴ 比Ｐ３ＯＤＴ 更易结晶．

取代基结构对聚[(3-烷基)噻吩-2,5]-取代苯甲烯衍生物三阶非线性光学性能的影响

采用3-烷基噻吩与对硝基苯甲醛和对二甲氨基苯甲醛的聚合反应得到了5种聚(3-烷基)噻吩取代苯甲烯衍生物:聚(3-丁基)噻吩对硝基苯甲烯(PBTNBQ)、聚(3-己基)噻吩对硝基苯甲烯(PHTNBQ)、聚(3-丁基)噻吩对二甲氨基苯甲烯(PBTDMABQ)、聚(3-己基)噻吩对二甲氨基苯甲烯(PHTDMABQ)和聚(3-辛基)噻吩对二甲氨基苯甲烯(POTDMABQ).计算其光学禁带宽度分别为PBTNBQ(1.82eV),PHTNBQ(1.85eV),PBTDMABQ(1.71eV),PHTDMABQ(1.78eV)和POTDMABQ(1.67eV).利用简并四波混频技术测量了5种聚合物薄膜的三阶非线性极化率,分别为1.74×10-8,1.82×10-8,5.62×10-9,8.64×10-9和1.22×10-8esu,均具有较大的三阶非线性光学性能.针对取代基结构对聚(3-烷基)噻吩取代苯甲烯衍生物的三阶非线性光学性能的影响从分子内极化程度和主链电子的离域程度两个方面进行了讨论.

十八烷基取代聚噻吩(Pat18)在室温下和液氮中的电致发光特性

报道了一种聚噻吩类导电聚合物 Pat1 8的光、电性能及以该材料作发光层制作的有机发光二极管在常温下和液氮 (- 2 0 0℃ )中的电致发光特性。

加热处理对十二烷基取代聚噻吩导电性能及结构的影响

以化学氧化法制备聚合物然后用碘进行掺杂处理使其导电,用表面电阻率、热失重分析、X射线光电子能谱研究了十二烷基取代聚噻吩在经反复加热和掺杂处理后的性能和结构变化。表面电阻率受温度的影响较大,在温度达到200℃以上时,该聚合物部分或全部丧失导电性。从X-射线光电子能谱可明显观察到空气中氧气参与了加热和掺杂过程并发生的物理化学反应。十二烷基取代聚噻吩掺杂后的热去掺杂过程在较低温度下(低于200℃)其导电性能可以恢复,但在高温下却不可恢复;而其结构经每一次热处理的破坏是不可逆转的,每一次加热处理都加速其老化降解。

不同烷基取代对聚噻吩衍生物电子结构的影响

采用密度泛函(DFT)B3LYP方法优化和计算了3-烷基噻吩及低聚物的电子性能,给出了单体、低聚物的LUMO、HOMO图,全部的优化采用6-31G*基组。3-烷基噻吩四聚体的能隙分别为1.90 eV,2.20 eV,2.83 eV。随着聚合度的增加,环与环之间的共轭程度增大,聚合物的能隙逐渐减小,可以作为设计低能隙导电聚合物给体材料。

高真空强静电场下聚合物薄膜微晶生长形态转变研究

The morphology of films of isotactic polypropylene poly(3\|dodecylthiophene) and i PP/P3DDT blend formed in electrostatic fields has been investigated by using scanning electron microscope. The experiment results show that the micro\|crystal morphology of polymer films was strongly dependent on electrostatic fields. It was found that the effect of the electrostatic field led to the formation of dendrite crystals aligned in the field direction,and some branches of P3DDT ruptured. However,the micro\|crystals in these films grew into spherulites without electrostatic field,and have no crystal orientation.