聚(碳硼烷-硅氧烷)弹性体的发展及在航天航空领域的应用

介绍了碳硼烷、聚(碳硼烷-硅氧烷)弹性材料的制备方法;综述了聚(碳硼烷-硅氧烷)弹性材料在耐高温、抗氧化、耐辐射及作为推进剂改性剂方面的应用;最后对聚(碳硼烷-硅氧烷)材料在航天、航空领域的发展进行了展望。

先驱体转化法制备高性能碳化硼陶瓷材料研究进展

碳化硼(B4C)是一种性能优良的特种陶瓷,在军事、核工业、航空航天等领域有着广泛的应用。近年来,采用先驱体转化法制备碳化硼陶瓷得到了长足的发展。相比碳化硼材料的其它制备方法,先驱体转化法具有元素组成简单、成型性好、陶瓷产率高、能耗低等优势,在制备碳化硼粉体、纤维、介孔材料、微球等方面有着广泛的应用。本文综述了先驱体转化法制备碳化硼陶瓷的最新研究进展,着重介绍了碳化硼先驱体的合成及应用,并对先驱体转化法制备碳化硼陶瓷的发展方向和应用前景进行了展望。

核聚变用靶丸材料研究进展

激光驱动惯性约束点火是实现核聚变的最有效途径之一,靶丸的设计与制备技术一直是激光惯性约束聚变研究中的核心技术。综述了目前靶丸材料体系的研究现状,重点介绍了理论计算十分有利于点火实验的纯B4C空心微球靶丸。最后,对B4C空心微球靶丸的制备成型工艺进行了展望。

高硼含量的SiC陶瓷先驱体的合成和表征

采用经典硼氢化反应,通过硼烷二级硫醚(BH3·SMe2)与二甲基二乙烯基硅烷(DVS)反应,合成了聚硼碳硅烷(PBCS)陶瓷先驱体,PBCS在氮气中经高温裂解得到了高硼含量的SiC陶瓷.利用红外光谱、核磁共振波谱和热重分析对聚合物的结构和性能进行了表征;利用元素分析、X射线衍射和扫描电子显微镜对聚合物的裂解产物进行了分析.结果表明,聚合物的结构中含有B—C,Si—C和C—H键,在1000℃氮气气氛中,其陶瓷产率在50%以上.陶瓷产物在1100℃以无定形态存在,硼含量高达6.46%,在1300℃时出现明显结晶,形成B2O3,C和β-SiC三相组成的多元复相陶瓷,在1500℃以下陶瓷产物表面光滑,结构致密.