硅纳米线和聚3-十二烷基噻吩混合薄膜在场效应晶体管中的应用研究

为了提高聚3-十二烷基噻吩的场效应迁移率,将硅纳米线混入聚3-十二烷基噻吩的溶液中制成薄膜.退火后的聚3-十二烷基噻吩能够自组装成有序的微晶结构,有利于电子传输.聚3-十二烷基噻吩薄膜在场效应晶体管中能够获得0.015 cm2·V^(-1)·s^(-1)的迁移率,而混合薄膜能够获得高达0.68 cm2·V^(-1)·s^(-1)的迁移率.这是因为硅纳米线优异的电子传输性能使得电子通过硅纳米线就像通过快速通道一样,从而能够缩短电子在场效应晶体管中的传输时间,提高传输速度.此外,使用离子胶作为介电层也能够提升场效应晶体管的性能,混合薄膜能够获得高达6.2 cm2·V^(-1)·s^(-1)的迁移率.

低温退火结合自成核方法制备FormⅡ晶型聚(3-十二烷基噻吩)纳米纤维

聚(3-十二烷基噻吩)(P3DDT)在常用有机溶剂中具有良好的溶解性,这一特点决定了制备P3DDT纳米纤维/线相对困难且其晶体结构不易调控。利用低温退火结合自成核方法成功制备了P3DDT纳米纤维,并探究了自成核温度对P3DDT纳米纤维结晶性与晶型的影响。P3DDT溶液经过低温退火再室温结晶后,可以得到均匀分布的、产率较高的纳米纤维,在此基础上增加自成核步骤能够进一步提高纳米纤维的结晶度。红外光谱的结果证实经过低温退火及自成核后制备的样品晶型为FormⅡ晶型,而不是通常的FormⅠ晶型。变温红外测试进一步揭示了P3DDT纳米纤维在升温过程中首先由FormⅡ晶型转变为FormⅠ晶型,随后熔融的相态变化。此研究结果有望对包括P3DDT在内的聚(3-烷基噻吩)(P3ATs)纳米纤维/线的制备及多晶型调控提供思路。

烷基和烷氧基取代聚噻吩的合成、表征与光电性能

Fe(Ⅲ )氧化催化法合成了 4种聚噻吩衍生物 ,3 十二烷基聚噻吩 (Pat12 ) ,3 辛氧基聚噻吩 (Paot8) ,3,4 二 (十二烷基 )聚噻吩 (Pat12 12 )和 3 (十二烷基 )噻吩 3 (辛氧基 )噻吩共聚物 (CoPt12 o8) .发现这些衍生物易溶于多种常用有机溶剂 .用GPC法测定了各聚合物分子量 ,用1 H NMR法表征了各聚合物化学结构 .对比研究了这些聚合物紫外 可见吸收性能 ,光致发光性能和能隙 .对其电致发光性能进行测定的结果 ,得到了Pat12 ,Pat12 12和Paot8的电致发光光谱 .发射峰分别为 6 70nm ,5 6 0nm和 6 4 0nm .发光颜色分别为红色 ,黄色和红橙色 .聚合物的光电性能与主链电子结构有密切关系 .探讨了取代基种类和数量对聚合物能带结构 ,光电性能的影响 .