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聚3-氯噻吩修饰CdSe纳米棒复合膜电极光电化学性能研究 被引量:2
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作者 郝彦忠 殷志刚 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1117-1121,共5页
采用水热法制备了具有闪锌矿和纤维锌矿结构的CdSe纳米棒.纳米棒直径约为100nm,长度约为300nm.当外加电极电势为-0·6V时,经聚3-氯噻吩[Poly(3-chlorothiophene),P3CT]修饰的CdSe纳米棒具有最大光电流,并且CdSe/P3CT复合膜电极最高... 采用水热法制备了具有闪锌矿和纤维锌矿结构的CdSe纳米棒.纳米棒直径约为100nm,长度约为300nm.当外加电极电势为-0·6V时,经聚3-氯噻吩[Poly(3-chlorothiophene),P3CT]修饰的CdSe纳米棒具有最大光电流,并且CdSe/P3CT复合膜电极最高光电转换效率(IPCE)为13·5%,低于CdSe纳米棒膜电极17·7%的最高IPCE.CdSe/P3CT复合膜电极中存在p-n异质结,p-n异质结的存在使得CdSe/P3CT复合膜电极在长波区(>410nm)的IPCE整体高于CdSe纳米棒薄膜电极的IPCE. 展开更多
关键词 聚3-氯噻吩 CdSe/P3CT复合膜电极 光电化学
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