晶体管发明者肖克莱引发的科技管理问题思考

晶体管的发明引发了半导体革命。本文系统地梳理了晶体管在贝尔电话实验室的发明经纬,具体地考察了诺贝尔物理学奖获得者肖克莱在晶体管发明过程中所发挥的作用。文章在对拥有超凡创造力,但又颇具争议性的人物肖克莱的生平事迹进行考察之后,还结合科技管理问题进行了多角度的思考。

肖克莱对表面物理的贡献

本文依据所掌握的物理学史料,在简要回顾固体物理和表面物理发展历史的基础上,着重叙述肖克莱对表面能级的描述、表面态的最早认识和半导体表面特性研究,尤其是对开启了半导体电子时代的大门的半导体PN结表面特性的开创性研究.时至今日,PN结表面的研究还在继续.为了重新认识肖克莱对表面物理的贡献,在肖克莱诞辰100周年纪念之际,特撰此文.

超凡的创造力:晶体管之父W.B.肖克莱——纪念晶体管发明60周年

较系统地介绍了最早三种晶体管的发明过程,从中实事求是地反映出晶体管之父W.B.肖克莱的多项发明专利,体现了他一生超凡的创造力,他是20世纪名副其实的"多产"的物理学家,对人类作出了重大贡献。为我们在建设创新型国家的进程中,提供了有益的启示与思考。

肖克莱与半导体科学技术的发展

文章介绍了肖克莱的生平事迹及其在物理学上取得的成就 ,着重论述了他提出的晶体管理论以及据此发明的晶体管对后世的影响 ,指出肖克莱提出的晶体管理论奠定了今天半导体科学技术发展的基础 .

从肖克莱发明晶体管看创造性思维过程

诺贝尔物理学奖获得者肖克莱一生发明了多种晶体管,其在贝尔电话实验室期间发明的PN结型晶体管和结型场效应晶体管尤为著名。本文对这两种晶体管构想的形成与实现过程进行了较为详细的考察,并在此基础上对创造性思维过程的阶段划分问题进行了初步探讨。

毁誉参半的科学天才——纪念威廉·肖克莱诞辰100周年

威廉.肖克莱作为晶体管的发明人、诺贝尔奖得主、美国硅谷的奠基人和优生学观点的坚持者走过了辉煌而又饱受非议的一生。他的卓见和追求值得我们纪念,他的过失和失败也值得我们借鉴,为此本文就所掌握的史料从肖克莱的生平、晶体管发明权的争议、肖克莱半导体实验室的"八大叛逆"事件、硅谷诞生的烽烟和肖克莱提倡的优生学带来的纷争五个方面对肖克莱的一生进行评述。

晶体管发明60年

回顾了晶体管的发明,对最早3种晶体管在原理、性能上作了比较,谈了3位发明者肖克莱、巴丁、布拉顿的重大贡献和一些性格特点;并对晶体管诞生后60年来的后续发展如集成电路等作了回顾;总结了这一发明对我们的启示和教训.

最早的三种晶体管及其发明三杰——纪念晶体管发明60周年

介绍了为最早三种晶体管的发明做出重大贡献的三位科学家,称为"三杰",并阐述三种晶体管在原理、结构、性能上的差异,实事求是地反映了在他们中发生的一些鲜为人知的事例,再现他们那严谨的科学态度和超凡的创造力的形象;也谈了他们的一些遗憾和不足,为后人提供借鉴与启示.

两次诺贝尔物理学奖获得者

在诺贝尔物理学奖颁发至今的九十二年历史中,只有一位美国物理学家约翰·巴丁(John Bardeen)获得过两次诺贝尔物理学奖,第一次是他和W.肖克利(W.shockley),W.布拉顿(W.Brattain)一起因研制出晶体管及对半导体的研究而获得了1956年诺贝尔物理学奖,第二个诺贝尔物理学奖是在1972年被授予的,与库柏(L.Cooper)和J.R施里弗(J.R.Schrieffer)一起共享,是因为他们三人共同创立了一种能对超导性作出解释的“巴丁—库柏—施里弗”理论即BCS理论.

高科技管理大亨 张忠谋

张忠谋祖籍浙江宁波,1932年出生,小时随父母生活在上海,1948年毕业于上海南洋模范高中,后随家人去香港,不到一年便赴美进哈佛大学攻读,接着又转入麻省理工学院。经几年刻苦学习,张忠谋以优异成绩先后取得机械工程学士和硕士学位并留校从事研究工作。 靠精深的专业知识,把握世界高科技发展趋势,还靠善于鼓励部属,他驾驭高科技企业得心应手,因而成了美国大型高科技企业的争夺对象。先任美国得克萨斯仪器公司副总经理,后应聘为通用仪器公司总经理。

“乐”此不疲探索在微电子领域

1948年,美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出了一种点接触型锗晶体管。晶体管的问世,是20世纪的一项重大发明,是微电子革命的先声。到了20世纪70年代,微型计算机的发明标志着微电子技术的发展达到了前所未有的高度。改革开放以来,我国的微电子技术也有了很大的发展。

半导体二极管

Y98-61304-113 99057802/10μs 浪涌电路用肖克莱二极管的物理模拟=Physi-cal modelling of Shockley diode used on 2/10 μsec surgecircuits[会,英]/Charitat,G.& Dilhac,J.-M.//1997Proceedings of the International Semiconductor Confer-ence,Vol.1.—113～118(UV)介绍了肖克莱二极管电特性的研究结果。对其静态和动态模拟与实验结果进行了比较。对于静态分析讲,其触发机理是雪崩产生的电流;而对动态分析来说,是浪涌信号。利用闪电浪涌信号实验研究了这种器件的工作情况。从物理的、模拟的和实验的观点,讨论了其瞬时特性。