2D/2D超薄La_(2)Ti_(2)O_(7)/Ti_(3)C_(2)Mxene肖特基异质结用于高效光催化CO_(2)还原

CO_(2)的过量排放造成了全球生态系统的失衡,如温室效应、海洋酸化和极端天气频发等.CO_(2)作为一种储量丰富且可循环利用的碳一资源,利用光催化技术将其催化转化为包括一氧化碳和甲烷在内的碳氢燃料,为上述问题提供了一个很有前景的解决方案.纳米片作为典型的二维材料,其厚度一般低至100 nm.此外,二维材料具有较大的比表面积、可调谐的端基官能团、出色的光学性能以及较好的导电性和柔韧性,在光催化领域受到了广泛关注.在半导体材料中,钛酸镧(La_(2)Ti_(2)O_(7))具有优良的氧化还原能力和良好的稳定性和耐久性,但与其他半导体类似,La_(2)Ti_(2)O_(7)的宽带隙性质决定了其只能利用波长较短的光,这极大地限制了其对太阳光的利用.为了增强光吸收能力,降低光生载流子的复合,本文通过溶剂热法在La_(2)Ti_(2)O_(7)纳米片上负载薄层Ti_(3)C_(2)MXene纳米片,设计制备了二维/二维(2D/2D)La_(2)Ti_(2)O_(7)/Ti_(3)C_(2)Mxene肖特基异质结复合材料,并用于增强光催化CO_(2)还原性能.研究发现,当Ti_(3)C_(2)MXene的负载量为3 wt%时,CO和CH4的产率是物理混合的La_(2)Ti_(2)O_(7)和Ti_(3)C_(2)MXene的4.6倍和11.4倍.飞秒瞬态吸收光谱和X射线光电子能谱结果表明,La_(2)Ti_(2)O_(7)/Ti_(3)C_(2)Mxene较好的光催化CO_(2)还原反应性能归因于高效电荷载流子迁移率和两组分接触界面之间形成了肖特基异质结的协同作用.原位红外漫反射光谱观察到的反应中间产物、紫外光电子能谱计算得到的功函数和原子层级的密度泛函理论计算得到的吉布斯自由能和差分电荷密度揭示了该体系光催化CO_(2)还原的机理、光催化反应的路径和产物选择性的由来.相比于单独的La_(2)Ti_(2)O_(7)和物理混合的La_(2)Ti_(2)O_(7)和Ti_(3)C_(2)MXene,2D/2D La_(2)Ti_(2)O_(7)/Ti_(3)C_(2)Mxene肖特基异质结复合材料表现出增强的光催化CO_(2)还原性能.引入Ti_(3)C_(2)MXene形成平面间2D/2D的异质结结构可作为电荷转移通道并促进电荷的快速分离,形成的肖特基结能够有效地抑制光生电子的回流,同时降低了光催化CO_(2)还原的反应势垒,最终促进了光催化CO_(2)还原过程.综上,本文详细阐述了肖特基异质结构中光催化性能增强的机理机制,并为设计和制造用于转化和利用二氧化碳的光催化剂及其探究光催化转化机理提供借鉴.

AlGaN/GaN肖特基二极管阳极后退火界面态修复技术

AlGaN/GaN异质结构材料在较强自发极化和压电极化的作用下,会产生高面密度和高迁移率的二维电子气,保障了基于该异质结构的GaN肖特基二极管器件具有高输出电流密度和低导通电阻特性.阳极作为GaN肖特基二极管的核心结构,对器件的开启电压、反向漏电、导通电阻、击穿电压等核心参数具有重要影响.因此,制备低界面态密度肖特基结是实现高性能GaN肖特基二极管的前提.本文基于低功函数金属钨阳极AlGaN/GaN肖特基二极管结构,通过采用阳极后退火技术促进阳极金属与下方GaN材料反应成键,有效抑制了阳极金-半界面的界面态密度,经阳极后退火处理后,器件阳极界面态密度由9.48×10^(15)eV^(-1)·cm^(-2)降低至1.77×10^(13)eV^(-1)·cm^(-2).得益于良好的阳极低界面态特性,反向偏置下,阳极隧穿路径被大幅度抑制,器件反向漏电降低了2个数量级.另外,器件正向导通过程中,载流子受界面陷阱态影响的输运机制也被抑制,器件微分导通电阻从17.05Ω·mm降低至12.57Ω·mm.实验结果表明,阳极后退火技术可以有效抑制阳极金-半界面态密度,大幅度提高GaN肖特基二极管的器件特性,是制备高性能GaN肖特基二极管器件的核心关键技术.

基于湿法腐蚀凹槽阳极的低漏电高耐压AlGaN/GaN肖特基二极管

得益于铝镓氮/氮化镓异质结材料较大的禁带宽度、较高的击穿场强以及异质界面存在的高面密度及高迁移率的二维电子气,基于该异质结材料的器件在高压大功率及微波射频方面具有良好的应用前景,尤其是随着大尺寸硅基氮化镓材料外延技术的逐渐成熟,低成本的氮化镓器件在消费电子方面也展现出极大的优势.为了提高铝镓氮/氮化镓肖特基二极管的整流效率,通常要求器件具有较小的开启电压、较低的反向漏电和较高的击穿电压,采用低功函数金属阳极结构能有效降低器件开启电压,但较低的阳极势垒高度使器件易受界面缺陷的影响,导致器件反向漏电增大.本文采用一种新型的基于热氧氧化及氢氧化钾腐蚀的低损伤阳极凹槽制备技术,解决了常规干法刻蚀引入的表面等离子体损伤难题,使凹槽表面粗糙度由0.57 nm降低至0.23 nm,器件阳极反向偏置为-1 kV时的漏电流密度由1.5×10^(-6) A/mm降低至2.6×10^(-7) A/mm,另外,由于热KOH溶液对热氧氧化后的AlGaN势垒层及GaN沟道层具有良好的腐蚀选择比,因此避免了干法刻蚀腔体中由于等离子体分布不均匀导致的边缘刻蚀尖峰问题,使器件反向耐压由-1.28 kV提升至-1.73 kV,器件性能得到极大提升.

基于准垂直结构GaN肖特基二极管的S波段限幅器研究

当今高功率微波技术发展迅速,电子设备所面临的威胁巨大。GaN肖特基二极管具有较小的开启电压和较高的击穿电压,特别适用于大功率整流电路。文章介绍了一种基于准垂直结构GaN肖特基二极管整流的高功率微波限幅器。测试结果表明,该限幅器在2~4 GHz频带内,可承受脉宽10μs、占空比1%、峰值超过1000 W的功率;其小信号插损小于1 dB,输入输出驻波比小于1.5。该限幅器插损小、耐功率高,可广泛应用于接收机中以提升其可靠性。

金刚石肖特基二极管的研究进展

金刚石具有宽带隙(5.47 eV)、高载流子迁移率(空穴3800 cm^(2)/(V·s)、电子4500 cm^(2)/(V·s))、高热导率(22 W·cm^(-1)·K^(-1))、高临界击穿场强(>10 MV/cm),以及最优的Baliga器件品质因子,使得金刚石半导体器件在高温、高频、高功率,以及抗辐照等极端条件下有良好的应用前景。随着单晶金刚石CVD生长技术和p型掺杂的突破,以硼掺杂金刚石为主的肖特基二极管(SBD)的研究广泛展开。本文详细介绍了金刚石SBD的工作原理,探讨了高掺杂p型厚膜、低掺杂漂移区p型薄膜的生长工艺,研究了不同金属与金刚石形成欧姆接触、肖特基接触的条件,分析了横向、垂直、准垂直器件结构的制备工艺,以及不同结构对SBD正向、反向、击穿特性的影响,阐述了场板、钝化层、边缘终端等器件结构对SBD内部电场的调制作用,进而提升器件反向击穿电压,最后总结了金刚石SBD的应用前景及面临的挑战。

电容型肖特基探针的谐振放大方法研究

肖特基诊断是同步环加速器束流参数的一种重要测量手段,可用于束流回旋频率、动量分散、工作点等多个参数的测量。电容型探针是开展肖特基信号测量的常用手段,但常规的电容型探针灵敏度低,在粒子数较少时测量信噪比差,难以获得有效的测量结果。电容型探针可等效为RC并联电路,通过添加并联电感形成RLC电路可实现信号的谐振放大。通过建立谐振放大等效电路模型,分析了影响谐振放大倍数以及信噪比的主要因素。开展了谐振放大电路研制,在西安质子应用装置进行了实验验证,实现了Q为177的谐振放大,将测量信噪比提升了22.9 dB。

CoS_(2)/TCN肖特基结的构筑及其光催化还原CO_(2)性能

以三聚氰胺为主要原料,通过水热结合热聚合的方法制备了g-C_(3)N_(4)微米管(TCN),并以TCN作为基体材料,将二硫化钴负载在TCN管状表面构筑CoS_(2)/TCN肖特基结。通过XRD、SEM、TEM、FLS以及光电化学工作站对所得样品进行了表征,并在无牺牲剂条件下,采用光催化活性评价系统考察了CoS_(2)/TCN肖特基结的光催化还原CO_(2)性能。结果表明,CoS_(2)在TCN管状表面均匀分布,CoS_(2)的引入增强了TCN对可见光的利用。由于CoS_(2)费米能级电位低于TCN的费米能级电位,在基态下异质结界面附近电子由TCN向CoS_(2)发生转移,使界面处费米能级达到平衡。此外,异质界面处的空间电势差有利于CoS_(2)通过肖特基结快速提取TCN产生的光生电子,促进光生电荷分离。在350~780 nm光照下,试样2CSTCN的CO产率达到16.04μmol/(g·h),与Pt/TCN产率(16.70μmol/(g·h))相近,是TCN的5.14倍。

基于肖特基二极管的反射式可调预失真电路

为解决传统反射式预失真电路可调性不高、对功率放大器的邻信道泄漏比(ACLR)改善量小的问题,文中提出了一种基于肖特基二极管的反射式可调模拟预失真电路。该电路由90°电桥、肖特基二极管以及偏置电路组成。每条支路采用两个并联肖特基二极管产生非线性信号,以抵消功放的非线性失真。每一个肖特基二极管都有独立的偏置电路,从而可以增加电路调节的自由度。通过改变每个肖特基二极管的偏压,可实现更大动态范围的幅度和相位的补偿。基于此原理加工的S波段模拟预失真电路对中心频率为3.5 GHz的Doherty功率放大器进行线性化测试,实验结果证明:加上提出的模拟预失真电路后,在输出功率为-28 d Bm时被测功放的ACLR改善了14.6 d Bc以上。

TiO_(2)-x@C/MoO_(2)肖特基结:合理设计及高效电荷分离提升光催化性能

氢能具有143 MJ/kg的高能量密度,光催化技术可以利用太阳能实现水分解制氢,被认为是缓解能源危机和环境污染的理想途径之一.自1972年TiO_(2)被发现具有光电催化性能以来,研究者致力于通过多种策略提升TiO_(2)的光催化活性.然而,其进一步应用仍然受到光响应差和光生载流子重组等问题的制约.负载助催化剂可以促进电子空穴的分离,降低产氢的过电位,是构建高效光催化体系的有效策略.电子从助催化剂向TiO_(2)半导体的反向流动可降低电荷分离效率;此外,在多组分体系中,不同组分之间的界面电荷转移阻力制约光催化性能的进一步提升.因此,同时实现可见光吸收、组分间强界面耦合和抑制电子回流是构筑高效TiO_(2)光催化剂的关键.本文开发了一种简单的一步原位相变调节策略,构筑了一种新颖的TiO_(2)-x@C/MoO_(2)肖特基结用于光催化水分解制氢,并采用X射线衍射、扫描/透射电镜、拉曼光谱、电子顺磁共振、X射线光电子能谱和时间分辨光致发光曲线对催化剂进行了表征.结果表明,该肖特基结具有以下优点:(1)丰富的氧空位.还原性气氛使得TiO_(2)-x中产生丰富的氧空位,氧空位的存在明显的降低了TiO_(2)-x的带隙并引入缺陷能级,从而提高了可见光吸收能力.(2)强键合碳层.柠檬酸原位相变产生的碳包覆在TiO_(2)-x表面,在TiO_(2)-x及MoO_(2)之间形成强化学键合,不仅可以作为电荷传输的快速通道提高层间电荷传递效率,还可以保护氧空位不被氧化从而提高肖特基结的稳定性.(3)肖特基结异质结构中产生的肖特基势垒可以有效地抑制电子从MoO_(2)向TiO_(2)-x的反向转移,从而抑制电子和空穴的复合,提升光生电子的利用率.(4)助催化剂效应.金属性MoO_(2)充当助催化剂,极大地降低了H2生成过程所需的吉布斯自由能,提升了热力学产氢性能.得益于上述效应的协同作用,TiO_(2)-x@C/MoO_(2)催化剂的光催化析氢速率显著提高,达到506μmolg^(-1)h^(-1),分别比TiO_(2)-x和TiO_(2)-x@C大125.5倍和15.8倍.同时,由于表面碳层的保护作用,该催化剂在循环使用27 h后产氢速率无明显变化,表现出较好的稳定性.此外,光催化四环素降解及Cr(Ⅵ)还原实验进一步证实了该肖特基结中光生电荷的有效分离.综上,本文设计思路和合成策略为构筑强耦合肖特基结光催化剂提供一定的参考.

Ag/LaFeO_(3)肖特基结催化材料的制备及其光催化性能研究

采用溶胶凝胶法合成LaFeO_(3)纳米颗粒,并通过光还原将Ag纳米颗粒沉积在LaFeO_(3)表面。利用X射线衍射分析对LaFeO_(3)、Ag/LaFeO_(3)纳米颗粒的成分和晶体结构进行分析;利用扫描电子显微镜对复合材料的形貌进行分析,并通过能谱分析对复合材料的元素组成及分布进行表征。以亚甲基蓝(MB)模拟有机物污染废水,测得LaFeO_(3)对MB的光催化降解率在90 min时可达到55.13%,Ag/LaFeO_(3)对MB的光催化降解率在90 min时可达到94.21%。研究结果表明:Ag纳米粒子的加入大大提高了催化剂的光催化性能,同时为水污染治理光催化剂的设计提供了一种可供选择的新方法。

高截止频率肖特基二极管仿真模型研究

基于表面沟道型平面肖特基势垒二极管基本结构,采用GaAs 0.15μm伪高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistors,pHEMT)工艺制程,提出了一种垂直沟道长跨度空气桥的肖特基二极管模型.研究了不同阳极直径对肖特基二极管级联电阻的影响,对比分析了不同焊盘间距下肖特基二极管模型的S参数仿真结果,得到最优空气桥长度;仿真了最优焊盘间距下二极管肖特基结的TCAD模型,根据仿真得到的特性曲线提取肖特基二极管的SPICE参数.经实验测试,该二极管具有极低的零偏置结电容,截止频率高达9 THz,仿真结果与实测结果吻合度较高,可用于太赫兹频段上.

纳米高熵合金实现光催化剂肖特基势垒的调控用于光催化制氢与苯甲醇氧化耦合反应

半导体表面修饰助催化剂可以降低界面反应势垒,提高界面反应速率.近期,含有至少五种主要元素且原子浓度为5%至35%的单相固溶体新型高熵合金(HEA)备受关注.与双金属或三金属纳米颗粒相比,HEA具有活性位点多、物理化学性质独特和热力学相对稳定等优势.理论研究表明,HEA的多种金属元素能够各自发挥作用,并在协同效应下展现出较好的催化性能.此外,HEA可以缩短活性位点之间的距离,增加吸附能,优化产物结构.尽管HEA应用前景广阔,但以其作为助催化剂同时进行氢气生产和增值精细化学合成的双功能光催化剂鲜有报道.本文采用传统尿素热聚合法制备了g-C_(3)N_(4)纳米片,将其处理得到质子化的g-C_(3)N_(4)(HCN),同时采用低温油相合成法制备了直径为2 nm的Pt_(18)Ni_(26)Fe_(15)Co_(14)Cu_(27)(HEA)纳米颗粒,并通过静电自组装方法,构筑了2D/0D HCN/HEA复合光催化剂.采用透射电子显微镜与原子力显微镜等方法对催化剂结构进行表征,结果表明,HEA纳米颗粒与质子化的g-C_(3)N_(4)纳米片紧密结合.紫外可见漫反射光谱、紫外光电子能谱以及电化学表征结果表明,HEA与HCN之间形成肖特基结,有效地加速电荷迁移并减少载流子的复合.原位表面光电压成像结果表明,光生电子从HCN纳米片通过肖特基结转移到HEA助催化剂.电化学线性扫描伏安法与阻抗测试表明,HEA极大地降低了HCN的产氢过电势,有效地促进了界面产氢速率,同时HEA的引入提高了HCN催化剂的电子传导速率.通过调控HEA与HCN的负载比例,复合光催化剂实现了高效的光催化产氢与苯甲醇选择性氧化为苯甲醛的耦合反应.其中,最佳样品光催化产氢速率达到2.4 mmol g^(-1)h^(-1),苯甲醛产率达到5.44 mmol g^(-1)h^(-1),分别是纯HCN的958倍和6.6倍.综上,本文为合理设计高性能光催化剂实现高效氧化还原偶联反应提供参考.

碳纳米管表面Co/MoSe2莫特-肖特基异质结的构筑及高效析氢性能

二硒化钼(MoSe_(2))是一种先进的电解水制氢催化剂,但其电催化性能还远不如金属铂(Pt)。将半导体与金属结合构建莫特-肖特基异质结是一种提高催化活性的有效途径。本文采用溶胶-凝胶工艺和热还原法在碳纳米管表面制备了金属钴(Co)/半导体MoSe_(2)莫特-肖特基异质结(Co/MoSe_(2)@CNT)。实验和理论计算结果表明Co/MoSe_(2)莫特-肖特基异质结导致电子在界面处重新分布并形成一个内建电场,这不仅可以优化氢原子吸附的自由能,还可以提高析氢过程中电荷的传输效率。因此,Co/MoSe_(2)@CNT获得了优异的析氢活性:在电流密度为10 mA cm^(-2)时的过电势仅为185 mV、Tafel斜率为69 mV dec^(-1)。这项工作提供了一种新的策略来制备Co/MoSe_(2)莫特-肖特基异质结,并突出了莫特-肖特基效应的重要意义,有利于未来开发出更高效的莫特-肖特基电催化剂。

p-GaN/n-Ga_(2)O_(3)结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究

由于缺少p型氧化镓,造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用,提出采用p-GaN与n-Ga_(2)O_(3)之间形成pn结JTE结构,有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导,运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga_(2)O_(3)结终端延伸肖特基二极管(schottky barrier diode,SBD)进行了仿真研究,通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga_(2)O_(3)JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V,代价是器件正向导通电阻略微增加,由4.68mΩ·cm^(2)增至5.62mΩ·cm^(2)。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响,发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm,器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V,同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga_(2)O_(3)JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。

全球氮化镓肖特基二极管专利分析

技术概述氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体的代表,具有宽带隙(3.4eV)、高临界击穿电场(3.3MV/cm)、高电子饱和漂移速率的优异特性,特别是AlGaN/GaN异质结界面能够形成高浓度二维电子气(2DEG),具有高达2000cm^(2)(V.S)的电子迁移率,使得GaN材料在高压、大功率、低损耗和高频率方面都具有显著优势。相对于PN结二极管,肖特基势垒二极管(SBD)由于载流子的注入和移除速度快,能够在高频信号处理过程中快速实现导通和截止状态的切换,同时肖特基势垒二极管还具有正向导通电压低的优点,能够减少能量消耗,提高电路效率。因此,肖特基势垒二极管能够广泛应用于高频信号电路以及各种电源设备,用于实现整流,变频等功能。GaN肖特基势垒二极管可以同时实现高击穿电压、高开关频率、大电流和低导通电阻,进而大幅降低微波、毫米波频率下的器件损耗,是实现微波、毫米波系统低功耗、高功率、高可靠性的关键。

基于T型阳极场板下梯度掺杂的多通道AlGaN/GaN肖特基二极管的研究

为了降低微波无线能传输系统(MWPT)整流电路模块的能量损耗,使用AlGaN/GaN异质结肖特基二极管(SBD)可以有效地降低整流损耗。本文设计了一种高性能多通道SBD结构,其具有四个周期性重复AlGaN/GaN的异质结构。为了提高器件的反向特性,使用T型阳极和对不同的AlGaN势垒层采用不同掺杂浓度的方式。这种独特的多通道器件结构正向特性有了显著提升,导通电阻降低了74%,达到了2Ω·mm,导通电压降低了57%,达到了0.31 V。由于T型阳极和独特的Si掺杂方式,该结构的击穿电压达到了300 V。

硅沟槽肖特基探测器制备及其电学性能测试

本文制作了硅沟槽型肖特基探测器,沟槽型结构相比于平面型不仅增大了中子转换层的接触面积同时还能够减少自吸收问题。在工艺上,本文通过湿法刻蚀工艺,刻蚀出的沟槽垂直且刻蚀侧面光滑。对探测器进行电学性能测试,测得在电压-20V时,其漏电流为0.2μA,在电压-30V时,其电容值为2.48pF。

Pt/β-Ga_(2)O_(3)深紫外肖特基光电二极管的界面载流子注入和自驱动特性

采用金属有机化学气相沉积技术在c面蓝宝石衬底上生长氧化镓薄膜,再通过光刻、剥离、电子束蒸镀技术在氧化镓薄膜的表面制作非对称叉指电极,其中Pt/Au作为肖特基电极,Ti/Al/Ni/Au作为欧姆电极;为实现良好的欧姆接触,提升界面载流子的注入效率,对沉积Ti/Al/Ni/Au后的样品进行退火处理。相关结果表明,该Pt/β-Ga_(2)O_(3)肖特基光电二极管具有良好的深紫外探测水平。在-5 V偏压下,响应度和外量子效率分别为3.4 A/W和1.66×10~3%。探测器的探测度高达10^(13) Jones,表明其具有优异的弱信号探测能力。同时,响应度和外量子效率整体都随着光强增大而减小,这是由于较高的光生载流子浓度提高了电子-空穴对的复合机率。在自驱动模式下,该Pt/β-Ga_(2)O_(3)肖特基光电二极管展现出较快的响应速度,响应度为2.69 m A/W。此外,探测器在-100 V和+100 V的高压下仍然能够稳定运行,说明该探测器具有较好的耐高压稳定性。

基于C_(14)H_(31)O_(3)P-Ti_(3)C_(2)/Au肖特基结的自驱动近红外探测器

Ti_(3)C_(2)Tx作为新型二维过渡金属碳化物/氮化物(MXene)中的一类,具有丰富的表面官能团(—OH,—F和—O等),并能够通过进一步的表面功能化调控表现出半导体特性.目前将Ti3C2Tx半导体性质应用在红外光电探测器中的研究还很少.本文研制了一种基于C_(14)H_(31)O_(3)P-Ti_(3)C_(2)/Au肖特基结的自驱动近红外光电探测器.通过膦酸基团与Ti3C2Tx表面羟基的缩合反应,制备了改性的C_(14)H_(31)O_(3)P-Ti_(3)C_(2)二维纳米半导体;并采用滴涂法构建了C14H31O3P-Ti3C2/Au肖特基结光电探测器.该器件在近红外波段(808—1342 nm)显示出良好的检测性能和循环稳定性,1064 nm近红外光照射下最高响应度为0.28 A/W,比探测率为4.3×10^(7)Jones,经10次I-t循环后器件性能保持稳定.由于C_(14)H_(31)O_(3)P-Ti_(3)C_(2)/Au肖特基结光电探测器具备自驱动特性和简单的制备工艺,因此在弱光信号检测方面表现出良好的应用潜力,例如在天文学和生物医学领域.这为基于MXene的近红外探测器的设计和研制提供了新思路.

准垂直肖特基二极管电极间距对耐压的影响

研究了不同电极间距对准垂直肖特基势垒二极管(SBD)正反向Ⅰ-Ⅴ特性,尤其是击穿电压和漏电的影响。通过制备不同电极间距的准垂直GaN SBD,测量不同电极间距器件的击穿电压和反向漏电变化。测量发现当电极间距小于器件台面刻蚀深度时,器件的击穿电压随着电极间距的增大而增大;当电极间距大于台面刻蚀深度时,器件的击穿电压随着电极间距的增大而几乎不发生变化。利用Silvaco软件进行了一系列的仿真研究,发现SBD的峰值电场强度不仅取决于电极间距,同时还受限于台面高度。研究表明在准垂直SBD研制中,为得到高击穿电压,电极间距应匹配器件台面的高度。