两种增强肖特基二级管芯片稳定性的设计方法

首先,介绍了肖特基二极管的基本原理和主要性能;然后,利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺对肖特基二极管进行了改进。结果表明,上述两种工艺能够使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强,因而建议大力推广使用。

高效率低漏泄肖特基二级管

肖特基势垒二极管ZLLS350在30V下的典型及最大逆向额定电流分别为1μA和4μA，在30mA正向电流下的正向电压仅为380mV。最高工作温度为150℃，持续正向电流可达380mA，仅占1．7mm×0．9mm的面积，板外的高度只有0．8mm。

InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

分析研究了GaAs InAs自组装量子点的电输运性质 ,通过对实验数据的分析 ,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和I V曲线中迟滞回路以及电导曲线中台阶结构产生的原因 .迟滞回路和台阶的出现与电场中量子点的充放电过程相关 :迟滞回路反映了量子点充电后对载流子的库仑作用 ,而电导台阶则反映了量子点因共振隧穿的放电现象 .

Pt／InP肖特基二极管气敏特性的研究

本文研究了Ｐｔ／ｎ－ＩｎＰ肖特基二极管在氢、氧气氛下的Ｉ－Ｖ、Ｃ－Ｖ以及复阻抗谱特性．测试结果表明：在氢气氛下势垒高度降低，在氧气氛下势垒高度增加，对二者均有良好的敏感特性．