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N^+和N_2^+离子注入硅的材料性能研究
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作者 王国全 解英艳 《大连大学学报》 2005年第2期14-16,57,共4页
本文应用X射线衍射方法、红外光谱分析方法、扩展电阻测量方法研究了N+和N+2注入硅的应变、损伤度、扩展电阻率随注入剂量、注入深度变化的规律,形成Si3N4非晶层的条件.建立了多层的物理模型和胁变函数的数学模型,利用计算机和曲线拟合... 本文应用X射线衍射方法、红外光谱分析方法、扩展电阻测量方法研究了N+和N+2注入硅的应变、损伤度、扩展电阻率随注入剂量、注入深度变化的规律,形成Si3N4非晶层的条件.建立了多层的物理模型和胁变函数的数学模型,利用计算机和曲线拟合等手段,得出了合理的结论. 展开更多
关键词 损伤层 扩展电阻 N^+ N2^+ 离子注入硅 材料性能 红外光谱分析 胁变函数
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