Al_xGa_(1-x)As/GaAs 太阳电池的背场结构——评《对 Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs 太阳电池结构的一点新看法》

对《电源技术》第２０卷第２期（１９９６年４月）的《对Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池结构的一点新看法》一文中提出的新看法进行了讨论，并通过理论分析和电池背场测试结果，指出了厚度为４００μｍ的ＧａＡｓ太阳电池背面处的ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ合金化热处理不会引入背场效应，而是形成欧姆接触。

晶体Si和GaAs太阳电池背场结构的研究

文章从理论和实验上分析了Si太阳电池和GaAs太阳电池各自背场结构特点,指出它们之间的异同。