1
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用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变 |
刘玉娟
张斌
王坤
姚淑德
王立
江风益
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《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
2
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2
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用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变 |
王欢
姚淑德
潘尧波
张国义
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
6
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3
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用卢瑟福背散射/沟道技术研究ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O/ZnO异质结的弹性应变 |
王坤
姚淑德
侯利娜
丁志博
袁洪涛
杜小龙
薛其坤
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
3
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4
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掺铒GaN薄膜的背散射沟道分析和光致发光研究 |
宋淑芳
周生强
陈维德
朱建军
陈长勇
许振嘉
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
6
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5
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Si衬底上ZnO外延膜结构性质的比较 |
王坤
姚淑德
丁志博
朱俊杰
傅竹西
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
2
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6
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掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光 |
宋淑芳
陈维德
张春光
卞留芳
许振嘉
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
1
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7
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HVPE生长GaN厚膜的结构和光学性能(英文) |
魏同波
马平
段瑞飞
王军喜
李晋闽
刘喆
林郭强
曾一平
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
0 |
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8
|
有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究 |
王立
李述体
彭学新
熊传兵
李鹏
江凤益
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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9
|
未掺杂GaN外延膜的结晶特性与蓝带发光关系的研究 |
李述体
江风益
范广涵
王立
莫春兰
方文卿
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《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
|
2004 |
0 |
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10
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单晶体外延膜四方畸变随深度变化的测试 |
丁斌峰
郑卫东
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《河北师范大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
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2012 |
0 |
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11
|
不同退火温度镍注入二氧化钛的结构与磁性 |
丁斌峰
郑卫东
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《河北师范大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
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2012 |
0 |
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12
|
氧离子辐照二氧化钛单晶后的结构与磁性 |
丁斌峰
相风华
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《Chinese Journal of Chemical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
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2012 |
0 |
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13
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350keV Yb~+注入Si(100)的射程分布和晶格损伤研究 |
李岱青
任廷琦
万亚
宫宝安
徐天冰
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《鲁东大学学报(自然科学版)》
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1994 |
0 |
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14
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带有AlN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 |
侯利娜
姚淑德
周生强
赵强
王坤
丁志博
王建峰
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《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
0 |
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15
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InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算 |
丁志博
王琦
王坤
王欢
陈田祥
张国义
姚淑德
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
11
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16
|
金属有机化学汽相沉积生长InGaN薄膜的研究 |
江风益
李述体
王立
彭学新
熊传兵
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《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2001 |
5
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17
|
Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析 |
丁志博
姚淑德
王坤
程凯
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
12
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18
|
In_xGa_(1-x)N薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究 |
李述体
江风益
范广涵
王立
莫春兰
方文卿
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《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2004 |
4
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19
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氧气氛中p-GaN/Ni/Au电极在相同温度不同合金时间下的欧姆接触形成机制和扩散行为 |
丁志博
王坤
陈田祥
陈迪
姚淑德
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2008 |
1
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