350keV Yb~＋注入Si（100）的射程分布和晶格损伤研究

用３５０ｋｅＶＹｂ~＋在室温下注入了单晶硅，并用卢瑟福背散射／沟道技术测量了注入离子在硅中的射程分布谱和晶格损伤谱。用表面能量近似和平均能量近似从背散射谱上计算了射程深度和射程分布的标准偏差。实验和计算结果表明，大部分注入离子都处于非替位位置。表面能量近似方法已能给出相当理想的计算精度，它与更精确的平均能量近似所得出的结果相差甚微。晶体与非晶体界面附近的损伤并由Ｙｂ~＋直接产生，它是一种次级级联碰撞效应。