高分子材料涂布工艺背污去除研究

半导体光刻工艺随着器件关键尺寸越来越小,晶圆(wafer)背面的清洁也变得更加重要。晶圆背面清洗(BSR,backside rinse)功能通过向晶圆背面喷吐光刻胶溶剂来防止因背面沾染光刻胶造成的后续烘烤不平整、曝光脱离位置,污染后续工艺单元、工艺设备及检测设备等问题,而具有高挥发性、高粘度、强氧化性特性的光刻胶在涂胶过程中则更容易出现背污问题。通过实践多款具有高挥发性、高黏度、强氧化性的光刻胶在涂胶工艺中的背面清洗工艺,从工艺配方及硬件参数两方面考虑,找出对于此种特殊光刻胶在涂胶后背面清洗效果达标较为有效的因素及调整方法。