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TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺
被引量:
2
1
作者
辛玉洁
于春崎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1080-1083,共4页
5次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型。5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7 PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本。研究制定了背沟道刻蚀型与背沟道保护型5PEP的主要工序步骤,并通...
5次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型。5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7 PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本。研究制定了背沟道刻蚀型与背沟道保护型5PEP的主要工序步骤,并通过50.8 mm液晶屏多次小批量投产进行试验。探讨了刻蚀型5PEP中a-Si岛刻蚀不良、SiNx刻蚀跨断等问题。取得合理的工艺参数,使5PEP能应用于小尺寸液晶屏的TFT量产。
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关键词
薄膜晶体管
5次光刻
背
沟
道
刻蚀
型
背沟道保护型
a-Si岛
下载PDF
职称材料
题名
TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺
被引量:
2
1
作者
辛玉洁
于春崎
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
长春方圆光电技术有限责任公司
中国科学院研究生院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1080-1083,共4页
文摘
5次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型。5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7 PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本。研究制定了背沟道刻蚀型与背沟道保护型5PEP的主要工序步骤,并通过50.8 mm液晶屏多次小批量投产进行试验。探讨了刻蚀型5PEP中a-Si岛刻蚀不良、SiNx刻蚀跨断等问题。取得合理的工艺参数,使5PEP能应用于小尺寸液晶屏的TFT量产。
关键词
薄膜晶体管
5次光刻
背
沟
道
刻蚀
型
背沟道保护型
a-Si岛
Keywords
TFT
5PEP
back-channel-etching
back-channel protection
a-Si island
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺
辛玉洁
于春崎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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