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0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系
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作者 唐威 刘佑宝 +1 位作者 耿增建 吴龙胜 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1031-1036,共6页
研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相... 研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相关,进而对器件产生不同的影响。模拟结果表明,器件在关态偏置下,背沟道附近陷获电荷密度最高,引起的阈值电压负向漂移和泄漏电流最大,即该偏置状态为浮体器件抗总剂量辐射的最劣偏置状态。 展开更多
关键词 SOI 抗总剂量辐射 部分耗尽 俘获电荷 背沟道反型
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