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背照式ZnO紫外焦平面成像阵列制作的刻蚀研究(英文)
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作者 高群 张景文 侯洵 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2304-2306,共3页
研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺.该ZnO焦平面阵列为128×128阵列,每个单元面积为25μm×25μm,对该阵列的刻蚀结果进行了研究分析.刻蚀后阵列单元的剖面角约为80°.在刻蚀过程中,刻蚀深度和刻蚀时间呈线性关... 研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺.该ZnO焦平面阵列为128×128阵列,每个单元面积为25μm×25μm,对该阵列的刻蚀结果进行了研究分析.刻蚀后阵列单元的剖面角约为80°.在刻蚀过程中,刻蚀深度和刻蚀时间呈线性关系.还研究了NH4Cl溶液浓度和刻蚀速率之间的关系.时刻蚀后的阵列单元进行了光电响应的测试,得到明暗电流比约为60∶1. 展开更多
关键词 刻蚀 NH4CL 焦平面阵列 制作 背照式zno紫外焦平面成像阵列
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