两步法制备的CuInGaSe_2薄膜中Ga的富集现象

采用预制膜硒化两步法制备CIGSe薄膜,采用X射线衍射方法分析薄膜的结构,采用荧光光谱分析和俄歇电子能谱分析方法检测分析薄膜的成分。研究结果表明CIGSe薄膜中Ga元素以置换原子的形式存在于CuInSe2相中,并且Ga具有背电极富集现象。富集现象弱化了Ga元素对禁带宽度的提高作用,并且由于薄膜背电极侧Ga含量过高导致背电极处缺陷浓度增加,从而降低了CIGSe薄膜的质量。结合Zhang等对CuInSe2和CuGaSe2中缺陷对生成能的理论计算,本文认为较高的2VCu-GaCu缺陷对形成能造成了Ga元素的背电极富集现象。