PC1D方法对铝背场钝化技术的分析

降低单晶硅原材料成本,采用更薄的硅片作为太阳电池的原料是晶体硅太阳电池产业发展的趋势之一。对薄片化的太阳电池,铝背场的背表面钝化工艺显得愈加重要。采用PC1D太阳电池软件模拟的方法,对以商业用p型硅为衬底的单晶硅125×125太阳电池的铝背场的背表面钝化技术进行了模拟,分析得出,对一定厚度的电池片来说,尤其是当少数载流子的扩散长度大于硅片厚度时,背表面的复合速率对太阳电池效率的影响尤为明显。电池的效率随着铝背场结深的增加、背表面复合速率的降低、少数载流子寿命的提高而提高。铝背场能够改善背表面的钝化质量,降低背表面的复合速率,进而提高太阳能电池的光电转换效率,是目前商业化的晶体硅太阳电池普遍采用的背表面钝化技术。

高效晶体硅太阳电池产业化技术分析

晶体硅太阳电池产业化生产技术日益成熟，实验室高效电池工艺技术也逐步运用于产业化生产。本文分析了目前各类高效电池技术的原理及技术的发展现状，并对今后的发展做了简单的评价与展望。

PERC结构多晶硅太阳电池的研究

高效、低成本是目前硅太阳电池追求的主要目标。多晶硅太阳电池成本低,但其电性能较差。背面钝化及局部背接触是提高多晶硅太阳电池电性能的主要技术。通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,依次经过背面开槽、丝网印刷、烧结形成背面局部接触,制备钝化发射极和背表面电池(PERC)结构多晶硅太阳电池。采用恒光源I-V特性测试系统测试其电性能,结果表明:较之常规铝背场多晶硅太阳电池,PERC结构电池在开路电压Voc、短路电流密度Jsc、转换效率η方面分别提高了13 mV、1.8 mA/cm2和0.67%(绝对值),其转换效率达到17.27%。PERC结构多晶硅电池采用了常规丝网印刷工艺,有利于实现高效多晶硅电池的产业化生产,具有很高的实际意义。

掺硼p型晶硅太阳电池LID恢复研究

随着p型晶体硅太阳电池转换效率的不断提高,由于光致衰减(LID)造成的效率损失问题也日益突显。文章通过光辐照的方式分别对电池片和经过光衰处理后的电池片进行抑制光衰和光衰恢复处理,前者光衰幅度极大下降,后者光衰得到很好的恢复,并且达到了一个相对稳定的状态,表明光恢复处理可以很好地改善掺硼p型晶体硅太阳电池的LID现象。特别地,针对p型高效电池结构钝化发射区和背表面电池(PERC)技术来说,光恢复处理工艺基本上克服了LID的现象,24h光衰幅度仅为0.03%。LID现象的解决,将为PERC技术的大规模推广奠定基础。

双面太阳电池的结构、工作原理和发展趋势

双面太阳电池因具有更高的等效转换效率、可降低25%以上的系统成本和更广泛的应用等优点引起了人们的广泛关注。介绍了双面太阳电池的工作原理,重点总结了钝化发射极及背表面完全扩散（PERT）双面太阳电池、钝化发射极及背表面接触（PERC）双面太阳电池、异质结型双面太阳电池等硅基双面太阳电池的结构及发展现状,介绍了铜铟镓硒（CIGS）双面太阳电池、CdTe薄膜双面太阳电池及钙钛矿双面太阳电池等的新型结构及研究进展。详细分析了双面太阳电池的发展优势与现阶段出现的主要问题。最后说明了双面太阳电池今后的努力方向,为更好地提高双面太阳电池的效率,背部结构的设计以及制备工艺的优化和创新是未来双面电池发展的趋势。