氮化N沟MOS场效应管的界面陷阱特性

一种经过氮化处理背面吸杂的Ｎ沟ＭＯＳ场效应管，在较宽的温度和偏置范围下对其闪烁噪声进行测量。将经过不等时间吸杂处理后的器件的噪声能量谱进行比较发现：器件经过短时间背面吸杂，其闪烁噪声降低；稍长时间吸杂则噪声趋高。探究噪声能量谱与温度的依赖关系表明：器件的低频噪声是由载流子对ＳｉＳｉＯ２界面陷阱的热激发造成的，而背面吸杂则导致ＳｉＳｉＯ２的应力衰减，进而改变了截面陷阱的能量分布。