p型“SE+PERC”双面太阳电池背面工艺对光伏组件PID效应的影响研究

基于p型“SE+PERC”双面太阳电池的背面工艺,针对背表面抛光状态、背面氧化铝薄膜厚度、背面膜层结构、背面氮化硅薄膜折射率几个因素对光伏组件电势诱导衰减(PID)效应的影响进行了研究。研究结果表明:1)背表面抛光状态越光滑,对应制备的光伏组件在PID测试后的输出功率损失率越小;2)背面氧化铝薄膜厚度为10 nm及以上时对应制备的光伏组件在PID测试后的输出功率损失率差异不大;3)背面膜层结构对PID效应存在影响,合理设计背面膜层结构可以有效抑制光伏组件PID效应;4)背面氮化硅薄膜折射率大于等于2.10时,对应制备的光伏组件在PID测试后的输出功率损失率降至2.00%以内且可以稳定保持在较低水平。研究结果可为p型“SE+PERC”双面太阳电池背面工艺优化提供指导方向。

一种实用的磷化铟MMIC背面工艺技术(英文)

采用湿法技术发展了磷化铟 MMIC的背面通孔刻蚀工艺 ,PMMA用作粘片剂 ,In P衬底粘附于玻璃版上 ,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜 ,HCl+H3PO4 腐蚀液实现 10 0 μm的通孔腐蚀 .已证实这种湿法通孔工艺宽容度大 。

双极大功率晶体管背面工艺优化

针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。

背面减薄工艺对InP芯片成品率的影响

半导体晶圆背面减薄工艺包含临时键合、研磨、解键合、薄片清洗4个步骤。工艺应力损伤使芯片性能劣化甚至失效,成为大光敏区型InP基探测器芯片的工艺瓶颈,须加以解决。将4个主要步骤分别优化,通过降低键合压力、减少研磨损伤层、保护胶隔绝污染、剥离保护胶摈弃刷洗,使芯片成品率从30%提高到95%以上(芯片尺寸?准1000μm)。经过多批次流片验证了此方法的正确性和稳定性,对阵列型芯片研制的成品率意义重大,对企业节省生产成本有积极影响。

SA213- TP347H钢背面免充氩焊接工艺研究

SA213－ TP347H奥氏体耐热不锈钢，焊接时必须进行背面充氩保护以防止焊缝根部氧化烧损，影响了现场施工特别是锅炉临检时的焊接质量及进度。为此，利用焊接渗透剂增加焊缝熔池渗透力和药皮焊丝自保护作用，采用小参数、小坡口背面免充氩保护手工钨极氩弧焊工艺焊接，并对焊接接头作了焊接工艺评定。试验结果表明，新工艺具有焊接工艺简单、焊缝根部无氧化、焊接质量可靠等优点，对简化奥氏体耐热不锈钢的焊接工艺具有重要价值。

背照式CCD量子效率的工艺仿真研究

使用Silvaco软件建立了背照式CCD仿真模型,利用该模型进行了工艺和器件仿真,研究了背面减薄、背面掺杂、界面陷阱和增透膜对背照式CCD量子效率的影响。仿真结果表明:界面陷阱和硅表面反射是量子效率损失的重要原因。在完全去除过渡区后,利用峰值位于表面且具有高杂质浓度梯度的背面掺杂和适当的单层增透膜,可获得峰值在90%以上的量子效率。

提高背面通孔成品率

一、概况 十三所一专部承担多项国家GaAs分立器件与单片集成电路的研制与生产任务,军工产品质量第一,创用户满意是我们的宗旨.背面孔刻蚀工艺是军标生产线的背面工艺之一,由于通孔质量的不稳定,直接影响了器件及单片电路性能,降低了我们承担的许多国防重点工程中的器件及单片电路的成品率,同时也严重影响了经济效益,因此,提高背面孔成品率也就显得非常迫切.

一种改进的穿硅电容三维互连技术

针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TSC互连电容耦合特性,结合传统收发电路与HSPICE仿真验证TSC互连在高频信号传输应用中的可行性。分析与仿真结果显示:TSC省去TSV背面通孔外露工艺可进一步降低成本及复杂工艺引入的可靠性隐患。采用孔半径2.5μm、孔高50μm单根TSC通道可实现15 Gbps高频信号传输,功耗约为0.045 mW/Gbps。研究表明,TSC互连是一种高可靠、低成本的三维互连结构,为实现高频三维集成电路(3D IC)提供一种可行的互连技术方案。

核电站超低碳不锈钢薄壁管焊接技术难点研究

针对岭澳二期核电站核岛安装工程中超低碳不锈钢薄壁管道对接焊遇到的难点进行了分析和解决,通过采用合理的焊接方法和工艺参数,以及相应的焊接技巧,解决了焊接过程中薄壁管的变形问题和接头容易氧化的问题。