利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文)

提出了一种解决大高宽比 SU 8结构的新方法 .该方法是将 SU 8胶涂在一块掩模上 ,紫外光从掩模的背面照射 ,这样 SU 8胶的曝光将从底部开始 ,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量 ,从而很容易控制曝光剂量和SU 8胶结构的内应力 .实验结果表明 ,该方法能够得到高宽比为 32的 SU 8结构 ,而文献报道的 SU 8胶结构的高宽比最大仅为

“背面曝光记录法”简介

本文所介新的记录方法，其特征是：图像曝光和显影同时进行，将磁刷显影器和图像曝光系统相对放置，而底基透明的感光体刚夹在二者之间，通过两次显影得到为影剂的图像。由于该法是在感光体背面进行图像曝光，故起名为“背面曝光记录法”。

背面曝光技术制作沙漏状X射线组合折射透镜

在分析沙漏状X射线组合折射透镜(X-ray compound refractive lens,XCRL)的折射聚焦理论的基础上,设计并利用背面曝光技术制作了SU-8材料的沙漏状XCRL,该技术在保证图形准确性的同时减少了工艺步骤,使制作更加简便易行.在10keV单色X射线辐射下,对制作的透镜进行了聚焦性能的实验测试,结果表明,所制作的透镜较好地实现了一维聚焦.

背面夹缝曝光的光学模拟及其实验

背面夹缝曝光是利用光学衍射效应来制备三维微结构的新方法.采用Matlab对曝光时间和夹缝对三维SU-8结构形貌的影响进行了模拟,并开展了相应的实验研究.结果表明:背面夹缝曝光是获得三维微结构的简便方法.模拟与实验揭示了相同的规律性,即微结构的侧壁倾斜角度取决于夹缝大小;当夹缝不变时,微结构的侧壁倾斜度不变,但微结构的大小随曝光时间而变化.

基于UV-LIGA技术的双层微齿轮模具镶块工艺

以氧化铟锡(ITO)玻璃作为基底,采用UV-LIGA技术制作了双层微齿轮型腔模具的镶块。首先,采用正胶(RZJ-304)进行光刻,在ITO玻璃表面电镀镍掩模,通过镍掩模对第一层SU-8光刻胶进行背面曝光。再利用正面套刻的方法对第二层SU-8光刻胶进行曝光,显影得到双层微齿轮的胶模。最后,进行微电铸得到双层微齿轮型腔镶块。通过实验验证了双层微齿轮模具镶块制作的工艺流程,优化了其工艺参数,克服了底部曝光不足引起的问题,并对制作工艺过程中产生的涂胶不平整、前烘时胶层不稳定、热板加热不均以及接触式曝光破坏胶层表面等问题进行了研究。所制得的双层微齿轮胶模垂直度高,表面质量好,且套刻精度高。

TFT-LCD一种条纹Mura的研究与改善

针对A机种生产过程中发生的一种条纹Mura问题,通过不良品的解析和数据统计分析,发现Mura异常区的黑色矩阵层(BM)图案边缘有内切(Undercut)问题,是因为制造过程中显影机导轮与玻璃接触部分发生静电累积,静电干扰使BM光阻与玻璃之间的接触角变小,造成显影后背面曝光工艺中BM未固化层发生热融溢流(Melt Flow)现象,固化工艺后形成BM边缘内切。研究发现,通过优化背面曝光工艺参数和关闭曝光上灯可以有效改善条纹Mura的程度;且将显影机导轮“平行式”排列改造成“之字式”排列,可以进一步改善条纹Mura现象。改善后条纹Mura的发生率由0.8%降至0,改善效果显著。

新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究

介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示：在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0～1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3～0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5～2.0 pm,达到5.0～5.5 μm,可以满足目前高PPI（单位面积像素个数）产品对透过率和对比度要求.

柔性版印刷在发展

柔性感光树脂版问世以来已有20年的历史,其制版网线的线数有了极大的提高。七十年代制版分色的网线数是120线,八十年达到133线,九十年代,制版分色网线的标准线数达到150线。