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SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究
被引量:
5
1
作者
商庆杰
王敬松
+2 位作者
高渊
么锦强
张力江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期527-531,共5页
通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对...
通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化,开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件,可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导体场效应管(MESFET)等大功率微波器件及其微波单片集成电路(MMIC)研制与生产的背面通孔刻蚀,并可缩短工艺时间降低生产成本。
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关键词
碳化硅
背面通孔刻蚀
感应耦合等离子体(ICP)
刻蚀
速率
选择比
下载PDF
职称材料
题名
SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究
被引量:
5
1
作者
商庆杰
王敬松
高渊
么锦强
张力江
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期527-531,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(613208)
文摘
通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化,开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件,可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导体场效应管(MESFET)等大功率微波器件及其微波单片集成电路(MMIC)研制与生产的背面通孔刻蚀,并可缩短工艺时间降低生产成本。
关键词
碳化硅
背面通孔刻蚀
感应耦合等离子体(ICP)
刻蚀
速率
选择比
Keywords
SiC
backside via hole etch
inductively coupled plasma(ICP)
etching rate
selection ratio
分类号
TN405.983 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究
商庆杰
王敬松
高渊
么锦强
张力江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
5
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职称材料
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