外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术分析

阐述外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术,包括IGBT器件的特点,IGBT背面FS层的设计技术,IGBT产品工艺流程设计。探讨在FS-IGBT背面减薄之后,背面硼离子注入之前,用四探针测试芯片背面方块电阻来控制背面发射结发射效率,实现背面FS层的高精度控制。