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题名SiC同质外延材料表面形貌缺陷研究
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作者
芦伟立
李佳
崔波
冯志红
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机构
河北半导体研究所
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出处
《中国标准化》
2019年第S01期50-53,共4页
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文摘
本文针对SiC同质外延材料中的表面形貌缺陷展开研究,使用共聚焦表面缺陷分析仪对外延材料表面缺陷进行表征测试和统计。根据三角形缺陷的结构和形貌特征,分析三角形缺陷的产生机制和延伸模型,系统研究了刻蚀气体HCl流量对SiC外延材料表面三角形缺陷的影响,结果表明刻蚀气体流量和时间对三角形缺陷影响明显,在HCl流量为100mL/min时,4英寸SiC外延材料表面三角形缺陷密度最低,达到0.85/cm^(2)。结合KOH腐蚀工艺,研究胡萝卜位错的产生机理,通过优化SiC外延生长速率,实现SiC外延材料胡萝卜缺陷密度有效降低至0.2/cm^(2)以下。
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关键词
SIC
外延材料
三角形缺陷
胡萝卜缺陷
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Keywords
SiC
epitaxial materials
triangle defects
carrot defects
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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