胶厚对单搭粘接接头强度影响的试验与仿真研究

为研究不同胶层厚度对单搭粘接接头强度的影响,对胶层厚度为0.2 mm、0.7 mm、1.5 mm和2.5 mm的铝5052-铝5052(Al5052-Al5052)单搭粘接接头进行拉伸-剪切试验,对比不同胶厚对Al5052-Al5052单搭粘接接头强度的影响。仿真分析考虑材料非线性和几何非线性,模拟不同胶层厚度表面上的等效应力的分布情况,研究结果表明:胶层厚度影响粘接剂对Al5052-Al5052单搭粘接接头的粘接效果,胶层表面的von Mises应力随着胶层厚度的增加而增大,Al5052-Al5052单搭粘接接头的强度随着胶层厚度的增加而降低。

弯月面涂胶及其胶厚均匀性的测量

为实现大面积基片的均匀涂胶,设计组装了一台小型弯月面涂胶样机,实验了200mm×200mm基片的涂胶。利用白光干涉光谱仪扫描测量了弯月面涂胶的胶厚分布,其胶厚均匀性峰谷值偏差低于5%。对弯月面涂胶系统引起的均匀度偏差做了初步分析研究,并对比了测试系统与经校准的台阶仪胶厚测量结果,偏差小于0.8%。

双光谱法实现光刻工艺中的胶厚检测

提出了一种光刻胶厚度测量方法,即双光谱法。采用AZ4620正型光刻胶甩胶于平面玻璃基片,以椭偏仪测量的结果为基准。通过双光谱法的测量,检测经过基片的出射光相对入射光强度的变化,达到测量胶厚的目的,结果偏差在2%以内。与传统的膜厚检测方法相比,有计算方法简便,可操作性强等优点。针对光刻胶有曝光的特性,双光谱法更适合于胶厚检测。

改善LOM型快速成形中胶厚均匀性的研究

ＬＯＭ 制件中胶厚分布不均匀严重影响ＬＯＭ 技术的成形精度和应用效益。文章实测了ＺＩＰＰＹ快速成形系统使用的粘胶的流变学性能，建立了粘胶热压应变的力学模型，对模型进行求解和修正，并据此提出改善粘胶分布均匀性的措施。

匀胶胶厚均匀性的研究

片式薄膜电阻器的生产采用光刻的工艺来实现电阻图形,会大大降低膜层所受到的应力,保证电阻的稳定性和一致性。改进光刻胶的涂覆均匀性是改进光刻工艺一种最节省成本最有效的技术手段。对匀胶工艺中的最关键的两个技术参数转速和时间进行了分析,同时研究了前烘的温度和时间对显影图形的影响。

六西格玛在提高TO-252胶厚合格率中的应用

该文对某型号TO-252的胶厚合格率进行了分析。针对目前该型号产品的胶厚合格率偏低问题导入六西格玛质量管理模式对生产流程中的各项要素、参数和指标进行了研究,通过分析定义了关键问题,通过MSA对装片完成后显微镜聚焦测量法进行了改善,保证了测量系统的精确性和准确性。通过对流程中的变量因子的重要性验证并提出相应的改善方法,最终使该型号TO-252封装的胶厚合格率达成预期目标。

胶厚误差调节器在挠性覆铜板生产中的应用

系统分析了博兰特生产挠性覆铜板涂胶过程中胶厚变化大,生产产品品质不稳定的问题,介绍了胶厚误差调整器在生产覆铜板过程中的性能特点,通过应用实践后,取得了良好的效果和经济效益。

厚胶层复合材料弱粘接结构的超声反射特性

开展了复合材料粘接结构粘接质量的非接触式超声反射特性的仿真与实验研究。首先,建立了水浸环境下纤维增强复合材料(FRP)单层板时域仿真模型,数值分析了不同入射角度下声反射系数频率谱的变化规律,并与已有理论方法进行了对比验证。基于此,建立了含厚胶层的复合材料粘接结构反射特性时域仿真模型,分析了粘接界面弱化程度对超声反射系数频谱特征点的影响规律。基于水浸超声反射特性测量系统,实验萃取了完好粘接状态的FRP粘接结构的超声反射系数频谱,与仿真结果吻合良好。随后,制备了具有不同粘接界面状态特征的FRP粘接结构试样,从实验角度揭示了单/双粘接界面弱化状态与超声反射特性间规律性的偏移特征。基于不同粘接状态与超声反射特性间的规律性分布特征,可为厚胶层复合材料粘接结构的粘接质量评估提供新的研究思路。

烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响

采用厚层正性光刻胶AZ P4620进行光刻实验,考察了在前烘和坚膜阶段不同的工艺参数条件下的光刻胶浮雕面形的变化。实验表明,完全显影后光刻胶的浮雕面形受前烘工艺参数的影响很小,但其显影速率有一定差别;当坚膜烘焙后,不同前烘条件下的浮雕面形差别较大;当前烘条件相同时,坚膜参数的变化对光刻胶的浮雕面形影响较大。由此得出,在前烘阶段应采取较高温度、较短时间的烘焙,而在坚膜阶段应采取较低温度、较长时间的烘焙,这样可提高厚胶光刻面形的质量。

厚胶光刻中曝光光强对光化学反应速率的影响

针对用于厚层光刻的重氮萘醌类正性光刻胶,利用动力学模型,分析了光化学反应速率的影响因素;给出了光化学反应速率明显受光强变化的影响以致互易律失效的原因。对厚度24μm的光刻胶AZP4620在相同曝光量而光强分别为3.2mW/cm2和0.63mW/cm2的条件下进行了数值模拟和实验。当曝光光强为3.2mW/cm2时仅需300s,即可显影完全,而当曝光光强为0.63mW/cm2时需要的时间长达2400s,才显影完全,且面形轮廓差异较大。因此,在厚胶光刻中,当曝光光强较大时应适当减小曝光量,反之,应适当增加曝光量。

中温固化厚胶层双组份环氧树脂结构胶粘剂的研究

本研究工作采用环氧树脂在叔胺催化剂作用下与端羧基液体丁腈(CTBN)预反应的方法,制备了具有内增韧性的胶粘剂甲组份;采用高温,高压催化加氢的方法制成的一缩二乙二醇双(r—氨丙基)醚及混合胺,催化剂混合制备了具有内增韧性能的胶粘剂乙组份,由于甲、乙两组份同时进行了内增韧,混配后的胶粘剂具有较高的韧性及内聚强度,从而得到了在厚胶层下仍具有较高剪切强度的双组份糊状环氧树脂结构胶粘剂。

厚胶层复合材料黏接结构中超声反射/透射特性的有限元仿真

针对厚胶层复合材料黏接结构,采用有限元法对其中发生黏接界面弱化、胶层内聚弱化时的超声反射/透射系数进行了仿真计算。在仿真模型中,利用弹性薄层物理场边界模拟了常规理论推导中的弹簧模型边界条件,通过改变胶层材料的弹性常数实现了对胶层内聚状态变化的模拟。仿真计算结果表明:随着黏接界面弱化程度的加剧,超声反射/透射系数频谱曲线将向低频方向偏移,而超声反射/透射系数角谱曲线将向大角度方向偏移;随着黏接结构中胶层内聚弱化程度的加剧,对应超声反射/透射系数频谱、角谱曲线的偏移趋势与发生黏接界面弱化时的情况一致。研究成果解决了利用有限元法对厚胶层复合材料黏接结构中黏接界面、结构胶内聚层进行模拟处理的问题,且仿真结果和理论计算结果吻合良好。

间歇悬浮式厚胶显影工艺研究

介绍了一种间歇悬浮式厚胶显影工艺,采用该种显影工艺,对使用SU-8光刻胶进行涂胶,胶层厚度大于30μm的晶片进行显影。显影后的晶片进行电镀工艺,经过对显影后晶片上图形的观察和对电镀凸点的分析,证明该种显影工艺具有很好的效果。

基于DILL模型的SU8厚胶曝光仿真

基于DILL经典曝光模型,对其分别在深度轴和时间轴上进行扩展:在深度轴上,以基尔霍夫衍射公式为基础,引入复折射率,利用光束传输法的思想计算了某曝光时刻下胶体内部的光场分布;在时间轴上,分析SU8光刻胶的特点及曝光反应过程,建立合适的光交联反应动力学模型,计算不同曝光时刻下的光场分布。通过整个曝光模型的建立,最终给出一定曝光时间后的光场分布;结果表明,在曝光阶段,胶内深层光场整体分布随时间变化不大,曝光时间对曝光阶段光场分布的影响较小,这种影响将在后烘阶段得以放大。

紫外厚胶光刻技术在3-D MEMS电感中的应用

研究了紫外厚胶光刻技术在三维微机械电感中的应用。实验用负性光刻胶SU-8构造了三维微机械电感的胶结构模型,并对光刻胶的工艺条件进行了研究。结果表明,负性光刻胶SU-8的光敏性好,形成的胶结构侧墙较陡直,能够实现较大的深宽比,为结构复杂的三维微机械电感的制作提供了保证。

紫外线厚胶光刻技术研究及应用

紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于 3D微机械结构的制作。本文选用AZ4 6 2 0和SU 8两种光刻厚胶 ,采用德国卡尔·休斯公司的MA 6双面对准光刻机 ,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究 ,结果表明 ,负性光刻胶SU 8的光敏性好 ,胶结构图形的侧墙较陡直 ,能够实现较大的深宽比 ,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证。

厚胶接近式光刻中掩模优化研究（英文）

随着光刻胶厚度的不断增大,制作的光刻图形畸变愈发严重,这极大的影响了微结构器件的性能与应用。针对高深宽比柱状微结构在光刻胶厚度方向上畸变的特点,提出了双面曝光和亮衬线、灰阶掩模相结合的办法,利用遗传算法对失真影响最大的区域进行搜索,光刻胶内部各层的衍射光场分布作为评价函数,对光刻过程引起的畸变进行优化。仿真结果显示,优化后光刻胶各层面型质量得到极大的改善,特征尺寸和边墙角等参数与理论值吻合得更好。优化算法具有很好的灵活性,因此在用于更厚光刻胶、更复杂掩模图形的优化上,具有重要的指导意义。

大采深煤层弱胶结厚层砾岩突水溃砂灾害研究

针对煤矿突水溃砂事故难题,基于突水溃砂机理理论研究和突水溃砂实例分析,结合塔然高勒煤矿水文地质、工程地质特征,通过对顶板厚层砾岩含水层岩石物理力学性质测试分析,从导水裂隙带高度、含水层厚度2个主控因素对突水溃砂危险性建立影响因素的数学评价模型,利用ArcGis平台根据“富水性指数法”得出顶板含水层富水性评价结果和冒裂安全性分区结果,获得了突水溃砂危险性分区。研究结果表明:受扰动影响的胶结程度差、遇水易松散的粗粒砂岩,受到静水压力的劈裂作用和地下水为克服阻力而对砂层施加的动水压力作用,在静水、动水压力共同驱动下,形成砂粒。含水层中的砂粒通过断层、褶皱等先天性破碎通道和受开采活动引起网络裂隙通道与冒落裂隙通道,随着水流方向朝涌水口发生大范围移动,进入工作面、采空区和巷道,从而引发水砂溃涌事故,水砂源、动力源、通道、流动空间4个要素的相互作用是导致突水溃砂的内在机理。导水裂隙带和断裂构造发育区是预防突水溃砂事故的工作重点,研究为导水裂隙带观测、顶板管理、探放水钻孔施工及大采深弱胶结砾岩含水层突水溃砂治理提供依据。

钠钙玻璃微流管道的厚胶湿法腐蚀工艺优化

为了克服石英玻璃和Pyrex 7740玻璃制作微流管道价格昂贵、工艺流程复杂等缺点,利用普通钠钙玻璃为基质、正光刻胶AZ4620为掩膜牺牲层,提出了一种高效、快速、低成本的微流管道制作方法。该方法优化了腐蚀工艺的关键参数,解决了光刻胶与玻璃的粘附性、光刻胶在腐蚀液中的耐受时间等问题。试验腐蚀深度达到80μm,最小特征尺寸小于50μm,微流管道侧壁陡直度小于100°,底部平整度误差小于±1.5μm,制作周期仅需4h左右。

厚胶光刻工艺技术

通过对Ma-p100正性厚胶光刻技术的研究,初步解决了厚胶工艺易出现的胶的均匀性问题,厚胶长时间曝光工艺,用普通曝光机获得了厚度为60μm,分辨率为20μm的厚胶图形。