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光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作
被引量:
6
1
作者
孙自敏
刘理天
李志坚
《微细加工技术》
1998年第2期31-36,共6页
随着器件尺寸的缩小,细线条的制作成为很关键的工艺,普通光学光刻已接近其分辨率的极限,而电子束光刻和X射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究,并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作,在普通光学光...
随着器件尺寸的缩小,细线条的制作成为很关键的工艺,普通光学光刻已接近其分辨率的极限,而电子束光刻和X射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究,并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作,在普通光学光刻机上制作出宽度小于0.25μm细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米MOSFET的制作中。
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关键词
光刻
胶灰化工艺
深亚微米线条
MOSFET
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职称材料
题名
光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作
被引量:
6
1
作者
孙自敏
刘理天
李志坚
机构
清华大学微电子所
出处
《微细加工技术》
1998年第2期31-36,共6页
文摘
随着器件尺寸的缩小,细线条的制作成为很关键的工艺,普通光学光刻已接近其分辨率的极限,而电子束光刻和X射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究,并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作,在普通光学光刻机上制作出宽度小于0.25μm细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米MOSFET的制作中。
关键词
光刻
胶灰化工艺
深亚微米线条
MOSFET
Keywords
lithography
photoresist ashing process
deep submicrometer line
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作
孙自敏
刘理天
李志坚
《微细加工技术》
1998
6
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