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可变晶格常数乙醇-二氧化硅胶质光子晶体中的Raman散射 被引量:3
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作者 刘晓东 倪培根 +1 位作者 程丙英 张道中 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3059-3064,共6页
制备了乙醇 二氧化硅三维胶质光子晶体 ,其晶格常数随着晶体高度的变化而变化 .用皮秒脉冲激光在不同高度激发光子晶体中乙醇产生Raman信号 ,得到了两个结果 :1 )即使Raman信号的中心频率与光子晶体的带隙中心频率一致 ,在其禁带方向... 制备了乙醇 二氧化硅三维胶质光子晶体 ,其晶格常数随着晶体高度的变化而变化 .用皮秒脉冲激光在不同高度激发光子晶体中乙醇产生Raman信号 ,得到了两个结果 :1 )即使Raman信号的中心频率与光子晶体的带隙中心频率一致 ,在其禁带方向上测得的强度也没有被抑制到与带隙深度同样的量级 ;2 )尽管单纯的具有Raman信号频率的入射光的透过率随着高度的变化而剧烈变化 ,但在光子晶体中产生的Raman信号强度却几乎不随高度的变化而变化 ,即光子晶体的赝带隙几乎没有影响在禁带方向上测得的Raman信号强度 .基于“光子晶体带隙对入射光和内部光源传播影响不同”的物理机理 ,比较合理地解释了这两个实验结果 。 展开更多
关键词 光子晶体 RAMAN散射 赝带隙 内部光源 晶格常数 乙醇-二氧化硅胶质晶体
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Preparation of modified SiO_2 colloidal spheres with succinic acid and the assembly of colloidal crystals 被引量:9
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作者 FANG Jun WANG XiuFeng WANG LieSong CHENG Bing WU Yuan-Ting ZHU WanLin 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2007年第4期461-466,共6页
SiO2 colloidal spheres were synthesized by St-ber method. In order to enhance surface charge of the SiO2 spheres, they were modified with succinic acid. Scanning electron microscope (SEM) shows that the average size o... SiO2 colloidal spheres were synthesized by St-ber method. In order to enhance surface charge of the SiO2 spheres, they were modified with succinic acid. Scanning electron microscope (SEM) shows that the average size of modified SiO2 spheres is 473 nm, and its distribution standard deviation is less than 5%; Fourier-transform infrared spectra (FT-IR) and X-ray photoelectron spectrometer (XPS) results indicate that one end of succinic acid is chemically bonded to the SiO2 spheres through esterification; Zeta potential of the modified SiO2 spheres in water solution is improved from -53.72 to -67.46 mV, and surface charge density of the modified SiO2 spheres is enhanced from 0.19 to 0.94 μC/cm2. SiO2 colloidal crystal was fabricated from aqueous colloidal solution by the vertical deposition method at 40℃ and 60% relative humidity. SEM images show that the sample of SiO2 colloidal crystal is face-centered cubic (fcc) structure with its (111) planes parallel to the substrate. Transmission measurement shows the existence of photonic band gap at 1047 nm. 展开更多
关键词 琥珀酸 二氧化硅胶质 胶质晶体 光学晶体 制备 表面电荷密度
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