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InAs/GaAs自组装量子点结构的能带不连续量 被引量：4
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作者 王海龙 秦文华 赵传华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期74-77,共4页
为确定异质结界面带阶,结合光致发光(PL)谱和深能级瞬态谱(DLTS)测量结果,利用有效质量近似理论,计算得到了InAs/GaAs自组装量子点结构的能带不连续量,其中导带不连续量ΔEc=0.97eV,价带不连续量ΔEv=0.14eV。
关键词 能带不连续量 自组装量子点 INAS/GAAS
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