温度对于交换作用下的能带劈裂的影响

晶体中电子之间交叠形成电子的能带.格点的电子之间具有交换作用时使能带劈裂成自旋上下的两个子能带.这样的系统是既具有电子巡游性又具有局域磁矩的系统.当两种自旋的跃迁积分不同时,上下两个能带的形状、宽度、峰高等不同.我们利用格林函数方法研究了温度对于此系统的能带的效应.随着温度升高,两个子能带不断靠近,磁化强度也就不断减小.在一定温度,两个子能带中心完全重合,磁化强度为零.两个子能带的裂距的变化与相交可定性地说明系统随温度的变化出现绝缘体、半导体、金属之间的转变.

三种材料构成的超晶格能带结构研究

对由ＧａＡｓ，Ａｌ０．２１Ｇａ０．７９Ａｓ及ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ由０．０～０．２１之间变化）三种材料构成的超晶格能带结构进行了研究。结果发现：如果超晶格单胞对其中点不具有对称性，对应自旋向上和向下的能带，此时发生了劈裂．并且由于材料不对称分布引起的劈裂比由于几何尺寸不对称引起的劈裂大。劈裂主要发生在重、轻空穴带相互作用较大的地方。

点缺陷石墨烯的电导（英文）

作为纳米材料中最有前途的的材料之一,石墨烯由于其超高的电导率、优异的热稳定性和机械强度受到了研究者的广泛关注。本文通过非平衡格林函数法结合密度泛函理论计算了石墨烯点缺陷(包括Stone-Waals,反Stone-Waals,单空位和双空位)及其浓度对石墨烯电输运性质的影响。石墨烯的电导在很大程度上依赖于点缺陷的类型及浓度。低浓度的Stone-Waals和反Stone-Waals缺陷不会显著地降低石墨烯的电输运,而双空位可使电导降低约50%左右。石墨烯中明显的电输运行为变化是由带缺陷石墨烯的能带结构决定的--由于点缺陷破坏了石墨烯蜂窝状晶格的对称性,会在费米能级附近引入局域态,进而导致狄拉克点处有能带劈裂。高缺陷浓度的双空位会在费米能级附近引入更多的平带以及在缺陷处更多的局域态,因此可能对载流子进行一定的散射,降低石墨烯的电导。此外,局部电荷密度表现出增强的局域性,阻碍了载流子的运动。石墨烯电导随着缺陷浓度和能带劈裂的增加呈指数下降。这些理论结果为研究真实单层石墨烯的电输运特性提供了重要的理解,并将有助于实验上控制石墨烯基器件的性能。

双层铜氧化物超导体的费米面随掺杂浓度的演化

在动能驱动的超导电性理论框架下,考虑赝能隙的影响,讨论了双层铜氧化物超导体的费米面随掺杂浓度的演化行为。我们的结果表明,双层铜氧化物超导体的费米面在欠掺杂区域表现为布里渊区节点附近不连续的费米弧,并且费米弧的长度随掺杂浓度的增加而增加,最后在超导圆顶的末端形成连续的轮廓。特别的是,费米面会发生双层能带劈裂,劈裂为成键态和反键态两支,两支费米弧在欠掺杂区域重叠在节点附近,并且均随掺杂浓度的增加而逐渐向反节点区域延伸,在过掺杂区域费米面的双层劈裂效应变显著,越远离节点两支费米面分离越明显。文章结果与角分辨光电子谱的实验结果定性一致。

Pt/Co/Pt/Ni多层膜的磁光特性

用磁控溅射法制备了Ｐｔ／Ｃｏ／Ｐｔ／Ｎｉ 系列样品，其中Ｎｉ 层具有不同的厚度．通过测量样品的Ｋｅｒｒ 转角、椭偏率、折射率和吸收率，推算出了四个等效电导张量元σ１ｘｘ ，σ２ｘｘ ，σ１ ｘｙ，σ２ｘｙ 随Ｎｉ 层厚度的变化情况．再结合电导张量元与Ｋｅｒｒ 角的理论公式，分析了在Ｎｉ 层厚度的变化过程中，每一个电导张量元对Ｋｅｒｒ 角的贡献：发现在短波段σ２ ｘｙ 起主导作用，而在长波段四个电导张量元共同起作用．经分析认为这是由于在Ｎｉ 层的增厚过程中，Ｐｔ ５ｄ 带劈裂程度逐渐减小．与纯Ｐｔ／Ｃｏ 膜相比，在Ｎｉ 层的厚度为０－１０ —０－２３ ｎｍ 的范围内样品具有较低的居里温度和较高的Ｋｅｒｒ 角，这说明Ｐｔ／Ｃｏ／Ｐｔ／Ｎｉ 多层膜具有较高的应用价值．