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导电聚合物发光材料能隙和能带参数的确定方法
被引量:
10
1
作者
佟拉嘎
蹇锡高
+1 位作者
王锦艳
尹军英
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期568-570,共3页
介绍了用循环伏安法确定导电聚合物能隙和能带参数的方法。并通过一些实例将这一测定结果与用紫外 可见吸收光谱法测定能隙之结果进行了比较。两种方法所得结果基本一致。其偏差在允许范围之内 ,均具有较高的准确性和可靠性。故认为可...
介绍了用循环伏安法确定导电聚合物能隙和能带参数的方法。并通过一些实例将这一测定结果与用紫外 可见吸收光谱法测定能隙之结果进行了比较。两种方法所得结果基本一致。其偏差在允许范围之内 ,均具有较高的准确性和可靠性。故认为可在相关研究工作中视具体需要灵活运用。
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关键词
导电聚合物
发光材料
能隙
能带参数
循环伏安法
紫外-可见吸收光谱
下载PDF
职称材料
GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究
被引量:
1
2
作者
罗向东
徐仲英
+3 位作者
潘钟
李联合
林耀望
葛维琨
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期25-29,共5页
用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局...
用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6~ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)
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关键词
GaNAs
带阶
光荧光谱
光跃迁
能带
弯曲
参数
单量子阱
GAAS
发光性质
下载PDF
职称材料
题名
导电聚合物发光材料能隙和能带参数的确定方法
被引量:
10
1
作者
佟拉嘎
蹇锡高
王锦艳
尹军英
机构
大连理工大学化工学院高分子材料系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期568-570,共3页
文摘
介绍了用循环伏安法确定导电聚合物能隙和能带参数的方法。并通过一些实例将这一测定结果与用紫外 可见吸收光谱法测定能隙之结果进行了比较。两种方法所得结果基本一致。其偏差在允许范围之内 ,均具有较高的准确性和可靠性。故认为可在相关研究工作中视具体需要灵活运用。
关键词
导电聚合物
发光材料
能隙
能带参数
循环伏安法
紫外-可见吸收光谱
Keywords
conducting polymer
cyclic voltammetry
UV Vis spectrum
energy gap
energy band parameter
分类号
TM243 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究
被引量:
1
2
作者
罗向东
徐仲英
潘钟
李联合
林耀望
葛维琨
机构
中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
香港科技大学物理系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期25-29,共5页
基金
国家自然科学基金! (编号 199740 45 )&&
文摘
用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6~ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)
关键词
GaNAs
带阶
光荧光谱
光跃迁
能带
弯曲
参数
单量子阱
GAAS
发光性质
Keywords
GaNAs
band offset
PL
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
TN204 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
导电聚合物发光材料能隙和能带参数的确定方法
佟拉嘎
蹇锡高
王锦艳
尹军英
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
10
下载PDF
职称材料
2
GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究
罗向东
徐仲英
潘钟
李联合
林耀望
葛维琨
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
已选择
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