考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析

重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射——扩散载流子输运机制 ,对考虑自热效应下的重掺杂 Al Ga As/Ga-As HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种 BGN模型比较得出 :为了更好描述电流传输 ,利用 Jain-Roulston的 BGN模型 ,考虑导带。

基区重掺杂对突变AlGaAs/GaAs HBT电学性能的影响

基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响。基于热场发射 扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAsHBT中的电流传输特性。结果表明:为了精确描述电流传输,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化。