InGaAs阱簇复合纳米结构的能带填充规律

为了探究InGaAs阱簇复合(WCC)纳米结构的能带填充规律和波长调谐能力,通过收集实验样品两侧辐射的光致发光(PL)光谱,结合材料增益和电子-空穴的准费米能级,分析WCC结构在不同非平衡载流子注入水平(9.0×10^(17)~9.6×10^(17)cm^(-3))下电子和空穴的能带填充规律。与传统InGaAs/GaAs量子阱结构相比,WCC纳米结构特有的非对称阶梯能带特征使其具有更高的能带填充水平以及更宽的有效辐射能级,可显著增大激光器的光谱带宽以及提高波长调谐能力。InGaAs WCC纳米结构具有超宽的辐射光谱以及较强的波长调谐能力,对研制新一代宽可调谐激光器具有重要的参考价值。

基于InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射标定因子实验研究

辐射标定因子作为半导体激光器的重要物理参数,在揭示器件性能方面一直扮演着重要角色。本文提出了一种测量辐射标定因子的实验方法,利用这一方法开展了对980 nm InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射特性研究。该方法通过收集InGaAs/GaAs边发射结构两侧辐射的光致发光(PL)光谱,利用构建的理论公式,获得了该结构在不同注入载流子浓度下的辐射标定因子,均值波动范围约为7.16×10^(10)~3.36×10^(11)W^(-1)·eV^(-1)·s^(-1)。最后利用固体模型理论和载流子填充规律对该结果进行了分析,揭示了该结构在不同热平衡状态下的非平衡载流子能带填充水平,以及电子和空穴准费米能级的变化规律。该项研究提出了一种测量辐射标定因子的新方法,在揭示发光材料辐射机制和推动激光器发展方面具有较重要研究价值。