电化学调控浮选能带模型及应用(Ⅰ)①——半导体能带理论及模型

根据硫化矿物的半导体性质以及硫化矿浮选的电化学特性 ,得出了半导体矿物 溶液界面的电子能级分布能带模型。提出采用矿物浮选常用参数 ,即矿物静电位和矿物颗粒表面动电位来计算硫化矿物的费米能级和边缘能级的简便方法。矿物的禁带宽度、功函数、药剂吸附。

硫化矿细菌浸出的半导体能带理论分析

许多硫化矿物为半导体 ,硫化矿氧化浸出过程实际是一半导体 溶液界面电子或空穴转移的过程。基于传统的半导体界面氧化理论 ,系统分析细菌存在时硫化矿 溶液界面电子或空穴转移步骤 ,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体 溶液界面电子及空穴转移模型 。

广义布里渊区与非厄米能带理论

能带理论是凝聚态物理的基石之一,其应用范围已延伸至许多其他物理领域.近年来,众多非厄米物理问题要求将能带理论推广至非厄米体系.人们在非厄米拓扑体系的研究中发现,这一推广需要修改能带理论的若干基本概念.非厄米趋肤效应(non-Hermitian skin effect)这一普遍的非厄米现象导致了布洛赫能带图像的失效以及常规体边对应关系的破坏.在能谱计算与拓扑不变量定义中,通常的布里渊区概念需要代之以广义布里渊区(generalized Brillouin zone).非厄米体系的一系列独特现象可以在广义布里渊区下得到精确刻画.基于广义布里渊区的非厄米能带理论成功描述并预言了非厄米系统的大量新颖现象.因其相对布洛赫图像的偏离,这一理论被称为非布洛赫能带理论(non-Bloch band theory).本文梳理了广义布里渊区和非布洛赫能带理论的主要概念,并简要介绍了该理论在非厄米体边对应原理、格林函数、波包动力学、手征衰减和非布洛赫宇称-时间对称性等方面的应用.

能带理论及其在半导体材料Te的电荷传输机制中应用

能带理论是一种描述晶体内电子在周期性势场中运动的近似理论,可用来分析晶体的导电性、PN异质结、导热性和掺杂问题等.通过分析能带理论的三种近似模型,并以半导体材料碲(Te)为例,阐述Te与多硫电解液间的电荷传输机制.

能带理论中的浸渐近似

本文对能带理论中的浸渐近似的含义、适用范围，引进它的必要性、可能性及作用进行了全面的讨论．

“半导体器件原理”课程教学中固体能带理论的应用

"半导体器件原理"是高等院校微电子以及相关专业的一门重要的专业必修课。本文主要概述了固体物理能带理论及其在该课程教学中的具体应用。笔者的教学实践结果表明,深刻地理解固体能带理论有助于学生对于PN结二极管、双极结型晶体管、肖特基势垒二极管以及金属-氧化物-半导体场效应晶体管等构成半导体器件的基本元器件的物理原理的掌握。

TiO_2纳米粉末、纳米管及其能带理论研究进展

综述了TiO2纳米粉末和纳米管的主要制备方法并进行了比较,提出了今后制备技术的发展方向。同时总结了通过理论计算来进行材料设计的基本思路,着重强调使用固体能带和分子轨道理论以及能谱实验数据相结合的方法来进行成分设计和进一步提高计算水平,更好地反映材料性能的电子结构本质。

Hume-Rothery相形成的金属能带理论分析

本文应用金属能带理论对Hume－Rothery相形成过程进行了分析讨论，结果表明：Hume－Rothery相是不同晶体结构的第I布里渊区在与费米面接触时形成的，此时将发生能量的陡变，导致电子浓度的改变．同时也表明了合金结构的变化是服从费米能最低原理的．

能带理论及其在选矿中的研究现状

论述了能带理论的主要内容及其常用的计算方法,并介绍了能带理论在选矿中应用进展,包括黄药与硫化矿物的作用机理、半导体矿物-溶液界面的电子能级分布模型、电化学调控浮选模型、细菌对硫化矿氧化浸出的影响等。

用能带理论研究GaAs(111)—(2×2)表面的原子结构

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的GaAs(111)—(2×2)表面的空位模型。发现第一层间距d_1=0.203±0.005A(收缩75％±0.005A),第二原子层间距d_2=2.71±0.04A(膨胀11％±0.04A)和第三层间距d_3=0.78±0.02A(收缩4.4％±0.02A)。对此结构,在表面的As—Ga键长l_(AS_1)-Ga_1=2.449±0.001A,As的背键长l_(AS_1)-Ga_2=2.450±0.002A,其键角(α)为120.06°±0.04°,而悬挂键P的角(β)为93.56°±0.03°。

能带理论(Energy band theory)的概念

本文运用能带理论就晶体中的电子行为作一些讨论,以期对能带理论的概念更细致的把握。

碘原子在银(110)面吸附的能带理论研究

采用基于密度泛函理论的第一性模守恒赝势平面波分子动力学方法研究了碘原子在Ag(110)面的吸附性质.首先对银体相性质和Ag(110)面的驰豫进行了计算,验证了生成的赝势的可靠性;随后对碘原子在Ag(110)表面各吸附位的性质进行了研究,发现最稳定的吸附位是短桥位.另外;本文还考虑了碘原子吸附对Ag(110)

二元超晶格弹性应力的能带理论计算

根据量子能带理论 ,采用经验赝势方法 ,对 (Pb) n/ (Bi) n,(Al) n/ (As) n 的假想简立方二元超晶格结构的弹性应力进行了计算 .结果表明弹性应力随超晶格周期λ的增加而迅速升高至一定大小后趋于稳定 ,且只有在周期较小时才同过渡金属氮化物超晶格硬度随周期的变化的趋势定性一致 。

关于能带理论的探讨

介绍了能带理论,说明能带理论是一个近似理论,是把一个复杂的多体问题化成单电子问题。介绍能带计算方法及其广泛应用。

浅谈金属键的能带理论

本文介绍了建立在分子轨道理论基础上的能带理论的要点。并根据晶体中的能带结构较好地阐明金属导体、绝缘体和半导体的区别和联系,即:某物质如果具有部分充满电子的导带,就是金属导体;如果只有全满和全空能带的物质,就是绝缘体,如果满带和空带之间的能量差很小,彼此非常接近,在外电场的作用下某些电子容易越过禁带,从满带进入空带而形成导带,该物质就是半导体。

能带理论在LED发光过程中的应用

本文通过能带理论分析了半导体p-n结处能带发生弯曲的原因。继而通俗、简要地说明发光二极管（LED）的微观发光机理，然后提出了制作LED所用材料的选择原则：由材料所具有的适当带隙来保证辐射光的频率或光色。

拓扑反能带理论

1拓扑能带理论,能带理论是量子力学在固体材料中的一次伟大应用,催生了半导体和半导体激光等发明,促进了第三次工业革命。根据量子力学,我们知道原子中的电子只能处于离散的能级。如果原子之间的距离很远,那么电子被束缚在各自的原子核附近,原子系综存在大量的相互独立的简并能级。

以能带理论诠释直流聚乙烯绝缘中空间电荷的形成和抑制机理

高压直流塑料交联聚乙烯电缆的研发难点是消除其中的空间电荷效应.目前,国内外学者普遍通过添加纳米粒了在聚乙烯体内形成深陷阱捕获电荷的机理来抑制电荷积聚,但此抑制机理违背了电场的基本理论.以能带理论全面削述聚合物介质中空间电荷的形成和抑制机理,从一级陷阱模型出发,应用电荷入陷和脱陷动力方程,推导了聚合物介质中空间电荷的形成过程.在聚合物介质中引入深陷阱后,介质Fermi能级位移,电极与介质之间界面接触由Ohm接触转变为阻塞接触.考虑到无定形相中大量的陷阱密度,电荷耗尽区宽度小于100 A,电极与介质之间的界面对电子变得透明,形成中性接触,在电压作用下,这种聚乙烯介质中不再可能形成空间电荷.最后,在纯聚乙烯和纳米改性后含有深陷阱的聚乙烯两种试样上,分别测量了电导与电场强度的关系和空间电荷分布曲线,实验结果符合理论推导.

有机场致发光中能带模型与分子理论的讨论(英文)

在有机场致发光中,能带模型及分子理论从 20世纪就存在尖锐的矛盾。在分层优化方案中,经SiO2加速后的电子能量可以到达 10eV, 这足以激发发光材料发光,将分层优化方案应用到有机场致发光材料中。发现了固态阴极射线发光(SSCL),经过对它的交叉证明、普适性的验证,肯定了固态阴极射线的发光确实是在发光二极管,无机及有机场致发光之外的一种完全新型的电场诱导的发光。SSCL的特征是在它的光谱中出现短波发光峰,实验证明长波发光峰的减弱是由于电场离化效应。研究了这种效应出现的电压阈值并和SSCL的短波峰出现的电压相比,发现短波峰的出现是在激子的电场离化之后,从而找出了电子处于局域态与扩展态的分水岭,解释了在有机场致发光中能带模型和分子理论并不矛盾,只是适用的条件不同。激子的离化是随电场强度而渐进的变化,因此会有一个两种过程并存的范围。

高频正弦波电流下IGBT能带结构和开关特性分析

基于能带理论——载流子浓度分布与电极距离函数的宏观体现,该文提出了一种IGBT在高频正弦波电流及零电流开关条件下开关动态特性的分析方法。首先介绍了功率器件在实际电路中的工作条件,其次提出了IGBT的能带结构图,并通过对独立元件、稳态及暂态时的能带图的分析比较,得出开关动态特性,并给出开关时刻的电压电流初值及能带图;实验结果也验证了IGBT在高频正弦波电流下零电流开关的开关特性;根据这个特性,文章采用随谐振电流大小微调开关频率的方法,来实现功率管电压过冲的完全抑制。